| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 课题的背景及意义 | 第10页 |
| 1.2 有机薄膜晶体管的发展和现状 | 第10-12页 |
| 1.3 有机半导体材料 | 第12-14页 |
| 1.4 薄膜传感器的概述 | 第14-16页 |
| 1.5 本论文的主要工作 | 第16-17页 |
| 第2章 有机气敏晶体管基本理论 | 第17-24页 |
| 2.1 金属-半导体间接触理论 | 第17-21页 |
| 2.1.1 肖特基接触 | 第17-19页 |
| 2.1.2 欧姆接触 | 第19-21页 |
| 2.2 气敏器件的气敏机理及影响因素 | 第21-23页 |
| 2.2.1 酞菁的气敏特性机理 | 第21-22页 |
| 2.2.2 影响气敏特性的因素 | 第22-23页 |
| 2.3 本章小结 | 第23-24页 |
| 第3章 垂直结构有机薄膜晶体管的制备 | 第24-33页 |
| 3.1 器件制备工艺 | 第25-28页 |
| 3.1.1 真空蒸发镀膜 | 第25-26页 |
| 3.1.2 溅射镀膜 | 第26-28页 |
| 3.2 垂直结构有机薄膜晶体管制备流程 | 第28-32页 |
| 3.2.1 基片处理 | 第29页 |
| 3.2.2 基极、集电极、发射极的制备 | 第29-30页 |
| 3.2.3 有机层的制备 | 第30-32页 |
| 3.3 本章小结 | 第32-33页 |
| 第4章 垂直结构有机薄膜晶体管的气敏特性测试与结构分析 | 第33-44页 |
| 4.1 敏感特性测试 | 第33-34页 |
| 4.1.1 测试系统 | 第33页 |
| 4.1.2 实验方法 | 第33-34页 |
| 4.2 实验测试结果 | 第34-39页 |
| 4.2.1 Al/CuPc/Cu肖特基二极管特性 | 第34-36页 |
| 4.2.2 CuPc薄膜气敏特性分析 | 第36-37页 |
| 4.2.3 器件能带变化分析 | 第37-39页 |
| 4.3 有机薄膜三极管的Ⅰ-Ⅴ特性测试分析 | 第39-43页 |
| 4.4 本章小结 | 第43-44页 |
| 结论 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-49页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第49-50页 |
| 致谢 | 第50页 |