MOS器件电离损伤的蒙特卡罗模拟研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 1 绪论 | 第7-11页 |
| ·研究背景 | 第8-9页 |
| ·国内外研究进展 | 第9页 |
| ·本文的主要工作 | 第9-11页 |
| 2 半导体材料和MOSFET器件 | 第11-16页 |
| ·半导体材料 | 第11-12页 |
| ·MOSFET器件 | 第12-16页 |
| ·N型MOS晶体管 | 第13-15页 |
| ·P型MOS晶体管 | 第15-16页 |
| 3 蒙特卡罗方法 | 第16-19页 |
| ·蒙特卡罗方法的基本思想 | 第16-17页 |
| ·蒙特卡罗方法的特点 | 第17-19页 |
| 4 高能光子与物质的相互作用 | 第19-30页 |
| ·微观截面与宏观截面 | 第19-20页 |
| ·微观截面 | 第19-20页 |
| ·宏观截面和平均自由程 | 第20页 |
| ·光电效应 | 第20-23页 |
| ·光电效应的特点 | 第21页 |
| ·光电截面 | 第21-22页 |
| ·光电子的角分布 | 第22-23页 |
| ·康普顿散射 | 第23-26页 |
| ·康普顿散射截面 | 第25页 |
| ·康普顿散射角分布 | 第25-26页 |
| ·正负电子对效应 | 第26-30页 |
| ·正负电子对效应的相关理论 | 第27-28页 |
| ·正负电子对效应的截面 | 第28-30页 |
| 5 MOS器件中的电离损伤机制 | 第30-36页 |
| ·MOS器件氧化层中的电离辐射效应 | 第30-33页 |
| ·电离辐射对MOS器件的辐射损伤 | 第33-36页 |
| 6 MOS器件的能量沉积和电离损伤模拟 | 第36-45页 |
| ·计算模型和抽样方法 | 第36-40页 |
| ·模拟结果及分析 | 第40-45页 |
| ·MOS器件SiO_2层中的能量沉积 | 第40-43页 |
| ·MOS器件的电离损伤 | 第43-45页 |
| 7 结论 | 第45-47页 |
| 参考文献 | 第47-49页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第49-50页 |
| 致谢 | 第50-52页 |
