600V VDMOS功率器件工艺优化研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 引言 | 第5-7页 |
| 第一章 功率半导体器件和VDMOS概述 | 第7-24页 |
| 第一节 功率半导体器件分类 | 第7-9页 |
| 第二节 VDMOS管演变介绍 | 第9-13页 |
| 第三节 VDMOS管工作原理 | 第13-14页 |
| 第四节 VDMOS管主要参数 | 第14-18页 |
| 第五节 VDMOS管技术特点 | 第18-20页 |
| 第六节 VDMOS管终端结构 | 第20-24页 |
| 第二章 优化前的600V VDMOS工艺 | 第24-27页 |
| 第一节 工艺流程 | 第24-26页 |
| 第二节 存在的问题 | 第26-27页 |
| 第三章 工艺优化研究 | 第27-44页 |
| 第一节 阈值电压调节工艺优化 | 第27-35页 |
| 第二节 场氧图形替代对准标记 | 第35-39页 |
| 第三节 聚酰亚胺钝化工艺改进 | 第39-44页 |
| 第四章 优化后的600V VDMOS工艺 | 第44-56页 |
| 第一节 定义有源区 | 第44-45页 |
| 第二节 栅介质与多晶硅栅叠层形成及光刻 | 第45-47页 |
| 第三节 晶体管体区与源区离子注入掺杂 | 第47-48页 |
| 第四节 体/源接触区掺杂在及介质隔离 | 第48-49页 |
| 第五节 金属电极形成 | 第49-50页 |
| 第六节 钝化层 | 第50-52页 |
| 第七节 背面减薄 | 第52-54页 |
| 第八节 晶体管性能改善 | 第54-56页 |
| 第五章 结论 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
