| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| ·GaN 材料及异质结的研究进展 | 第10-13页 |
| ·GaN 宽禁带半导体材料及其器件的研究意义 | 第10-11页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 的发展 | 第11-13页 |
| ·复合势垒HEMT 器件的研究意义 | 第13-14页 |
| ·原位生长Si_3N_4 帽层的研究意义 | 第14页 |
| ·本文研究内容及安排 | 第14-18页 |
| 第二章 GaN基HEMT器件的工作原理与模拟仿真 | 第18-32页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 器件工作原理 | 第18-21页 |
| ·复合势垒HEMT 材料生长和模拟仿真 | 第21-30页 |
| ·缓冲层材料对复合势垒结构的影响 | 第22-25页 |
| ·势垒层结构对复合势垒结构的影响 | 第25-28页 |
| ·基于Silvaco 系统的复合势垒HEMT 器件仿真 | 第28-30页 |
| ·本章小结 | 第30-32页 |
| 第三章 AlGaN/GaN HEMT 器件制备工艺及改进 | 第32-48页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 器件制备工艺流程 | 第32-37页 |
| ·刻蚀工艺 | 第33页 |
| ·欧姆接触 | 第33-35页 |
| ·肖特基接触 | 第35-36页 |
| ·钝化 | 第36-37页 |
| ·表面钝化的工艺改进 | 第37-42页 |
| ·原位Si_3N_4 钝化异质结材料生长 | 第37-38页 |
| ·原位Si_3N_4 层对欧姆接触的影响 | 第38-40页 |
| ·原位Si_3N_4 层对肖特基特性的影响 | 第40-42页 |
| ·原位Si_3N_4 钝化的AlGaN/GaN HEMT 器件性能分析 | 第42-47页 |
| ·原位Si_3N_4 层钝化对器件直流特性的改善 | 第42-44页 |
| ·原位Si_3N_4 层钝化器件的频率特性 | 第44-45页 |
| ·原位Si_3N_4 层钝化对器件电流崩塌效应的抑制 | 第45-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 复合势垒HEMT器件性能分析 | 第48-66页 |
| ·复合势垒HEMT 器件的直流特性 | 第48-53页 |
| ·复合势垒HEMT 器件的直流特性分析 | 第48-51页 |
| ·低温快速退火对复合势垒HEMT 器件电学特性的影响 | 第51-53页 |
| ·复合势垒HEMT 器件的可靠性分析 | 第53-58页 |
| ·复合势垒HEMT 器件的栅脉冲测试 | 第54-55页 |
| ·复合势垒HEMT 器件的电流崩塌效应 | 第55-58页 |
| ·复合势垒HEMT 器件的变温特性 | 第58-64页 |
| ·复合势垒HEMT 器件变温直流特性 | 第58-61页 |
| ·复合势垒HEMT 器件变温CV 特性研究 | 第61-64页 |
| ·本章小结 | 第64-66页 |
| 第五章 结束语 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-80页 |
| 作者攻读硕士期间的研究成果和参加的科研项目 | 第80-81页 |
