| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·单粒子效应研究历史回顾 | 第7-8页 |
| ·研究现状与发展 | 第8-10页 |
| ·本文主要工作及内容安排 | 第10-11页 |
| 第二章 辐射环境及单粒子翻转机理研究 | 第11-25页 |
| ·辐射环境 | 第11-13页 |
| ·空间辐射环境 | 第11-12页 |
| ·地面辐射环境 | 第12-13页 |
| ·核爆辐射环境 | 第13页 |
| ·大气辐射环境 | 第13页 |
| ·单粒子翻转主要机理 | 第13-19页 |
| ·电荷淀积模式 | 第14页 |
| ·单粒子效应模型 | 第14-17页 |
| ·深亚微米下电荷收集机理 | 第17-19页 |
| ·电流解析模型 | 第19-21页 |
| ·粒子特性的表征 | 第19-20页 |
| ·体硅SEU特性瞬态电流解析模型 | 第20页 |
| ·SOI SEU特性瞬态电流解析模型 | 第20-21页 |
| ·器件单粒子翻转的判定 | 第21-23页 |
| ·翻转截面 | 第21页 |
| ·临界电荷 | 第21-23页 |
| ·临界电荷与LET阈值的关系 | 第23页 |
| ·本章小结 | 第23-25页 |
| 第三章 体硅器件的单粒子翻转效应仿真分析 | 第25-37页 |
| ·ISE-TCAD工具简介 | 第25-27页 |
| ·CMOS SRAM 的单粒子翻转机理及电路等效模型 | 第27-29页 |
| ·电荷收集机理的研究 | 第29-32页 |
| ·体硅器件仿真结果分析 | 第32-36页 |
| ·LET值对漏电流的影响 | 第32-33页 |
| ·入射位置对漏电流的影响 | 第33页 |
| ·外延层厚度对漏电流的影响 | 第33-34页 |
| ·外延层浓度对漏电流的影响 | 第34-35页 |
| ·电压对漏电流的影响 | 第35-36页 |
| ·沟道长度对漏电流的影响 | 第36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第四章 SOI和应变硅器件的SEU仿真 | 第37-53页 |
| ·SOI和应变硅技术简介 | 第37-42页 |
| ·SOI器件结构 | 第37-39页 |
| ·应变硅器件结构 | 第39-42页 |
| ·SOI双极放大效应研究 | 第42-47页 |
| ·漏电流分析 | 第43-45页 |
| ·双极放大与LET的关系 | 第45-46页 |
| ·对全耗尽型SOI器件的仿真 | 第46-47页 |
| ·应变硅器件的仿真 | 第47-51页 |
| ·本章小结 | 第51-53页 |
| 第五章 结论与展望 | 第53-55页 |
| ·结论 | 第53页 |
| ·展望 | 第53-55页 |
| 致谢 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 研究成果 | 第61-62页 |