碳纳米管网络结构场效应晶体管的制备及性能研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-21页 |
| ·引言 | 第8页 |
| ·碳纳米管的结构和性质 | 第8-15页 |
| ·碳纳米管的结构 | 第8-10页 |
| ·碳纳米管的性质 | 第10-15页 |
| ·电子学性质 | 第11-12页 |
| ·光子学性质 | 第12-15页 |
| ·碳纳米管场效应晶体管的研究背景 | 第15-20页 |
| ·本文的研究目标和主要工作 | 第20-21页 |
| 第二章 碳纳米管的分散性研究 | 第21-33页 |
| ·碳纳米管分散的意义 | 第21页 |
| ·实验过程与结果表征 | 第21-31页 |
| ·表面活性剂浓度对分散效果的影响 | 第21-24页 |
| ·超声振荡时间对分散效果的影响 | 第24-26页 |
| ·离心转速和时间对分散效果的影响 | 第26-31页 |
| ·本章小结 | 第31-33页 |
| 第三章 CNNFET的制备及性能表征 | 第33-44页 |
| ·CNNFET的结构 | 第33-34页 |
| ·CNNFET的制备 | 第34-36页 |
| ·衬底和电极的制备 | 第34页 |
| ·沟道的制备 | 第34-36页 |
| ·器件表征 | 第36-43页 |
| ·沟道形貌的AFM表征 | 第36-37页 |
| ·CNNFET的电学性能测试 | 第37-40页 |
| ·CNT沟道的Raman光谱表征 | 第40-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 CNNFET电流回滞现象的研究 | 第44-61页 |
| ·电流回滞现象的描述 | 第44-45页 |
| ·实验部分 | 第45-52页 |
| ·不同栅压扫描范围对回滞曲线的影响 | 第45-48页 |
| ·不同栅压扫描方式对回滞曲线的影响 | 第48-50页 |
| ·栅压脉冲法研究器件工作中的电荷注入现象 | 第50-52页 |
| ·分析与讨论 | 第52-59页 |
| ·在存储器件中的应用 | 第59-60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 第五章 SWNT与P3HT的混合及应用 | 第61-70页 |
| ·SWNT与P3HT混合的意义 | 第61-62页 |
| ·P3HT/SWNT混合溶液的制备与表征 | 第62-65页 |
| ·P3HT/SWNT复合薄膜在器件中的应用 | 第65-68页 |
| ·本章小结 | 第68-70页 |
| 第六章 结论 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-78页 |
| 附录:攻读硕士期间发表的论文 | 第78-79页 |
| 致谢 | 第79-81页 |
