| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| ·GaN 及其异质结材料的研究背景 | 第10-12页 |
| ·GaN 基半导体材料的特性与优势 | 第10-11页 |
| ·GaN 材料的研究历程 | 第11-12页 |
| ·GaN 基HEMT 器件的研究进展及本论文的研究意义 | 第12-14页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结材料与HEMT 器件发展历程及研究现状 | 第12-14页 |
| ·双沟道AlGaN/GaN 异质结材料与HEMT 器件的研究进展 | 第14页 |
| ·本论文的研究内容和安排 | 第14-16页 |
| 第二章 双沟道GaN 异质结的仿真与设计研究 | 第16-32页 |
| ·GaN 基异质结特性 | 第16-20页 |
| ·III 族氮化物异质结能带结构特性 | 第16-17页 |
| ·AlxGa1-xN/GaN 异质结构的极化性质 | 第17-20页 |
| ·双沟道AlGaN/GaN 异质结的一维自洽模拟理论 | 第20-23页 |
| ·一维自洽模拟的数学物理模型 | 第20-21页 |
| ·GaN 基异质结自洽求解的边界条件和求解过程 | 第21-23页 |
| ·不同结构参数的双沟道AlGaN/GaN 异质结的模拟 | 第23-30页 |
| ·第一势垒层参数的影响 | 第23-25页 |
| ·第一沟道层厚度的影响 | 第25-26页 |
| ·第二势垒层参数的影响 | 第26-28页 |
| ·第二势垒层掺杂和缓变铝组分的模拟结果 | 第28-30页 |
| ·多沟道AlGaN/GaN 异质结构的设计与仿真 | 第30-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 双沟道AlGaN/GaN 异质结材料的生长和特性研究 | 第32-50页 |
| ·GaN 基异质结材料的表征方法 | 第32-37页 |
| ·原子力显微镜测试（AFM） | 第32-33页 |
| ·X 射线衍射技术（XRD） | 第33-34页 |
| ·电容-电压测试（C-V） | 第34-36页 |
| ·霍尔效应测试 | 第36-37页 |
| ·双沟道与单沟道AlGaN/GaN 异质结材料特性表征 | 第37-43页 |
| ·单、双沟道AlGaN/GaN 异质结材料的生长 | 第37-38页 |
| ·样品的XRD 和AFM 测试对比 | 第38-40页 |
| ·样品的电特性对比 | 第40-43页 |
| ·势垒层掺杂的双沟道AlGaN/GaN 异质结材料特性 | 第43-48页 |
| ·不同势垒层掺杂的材料特性 | 第43-44页 |
| ·第二势垒层不同掺杂浓度的材料特性 | 第44-48页 |
| ·本章小结 | 第48-50页 |
| 第四章 双沟道AlGaN/GaN HEMT 器件制造和分析 | 第50-64页 |
| ·双沟道AlGaN/GaN HEMTs 的制造 | 第50-54页 |
| ·AlGaN/GaN HEMTs 制造的关键工艺 | 第50-52页 |
| ·双沟道AlGaN/GaN HEMTs 的工艺流程 | 第52-54页 |
| ·未掺杂双沟道AlGaN/GaN HEMTs 器件特性 | 第54-57页 |
| ·不同槽栅深度的双沟道AlGaN/GaN HEMT 器件特性 | 第54-56页 |
| ·双沟道AlGaN/GaN 异质结的高温CV 特性 | 第56-57页 |
| ·掺杂双沟道AlGaN/GaN HEMT 器件特性 | 第57-59页 |
| ·双沟道AlGaN/GaN HEMT 器件的电流崩塌效应 | 第59-62页 |
| ·本章小结 | 第62-64页 |
| 第五章 结束语 | 第64-68页 |
| 致谢 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-78页 |
| 攻读硕士期间的科研成果和参加的科研项目 | 第78-80页 |
