| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| ·引言 | 第8-9页 |
| ·国内外研究发展状况 | 第9-11页 |
| ·本文工作目的及内容 | 第11-14页 |
| 第二章 硅基应变材料基本物理属性 | 第14-22页 |
| ·硅基应变材料晶格结构 | 第14-16页 |
| ·应变Si能带结构 | 第16-19页 |
| ·应变SiGe能带结构 | 第19-21页 |
| ·小结 | 第21-22页 |
| 第三章 应变MOS器件性能增强机理研究 | 第22-36页 |
| ·应变MOS器件优势 | 第22-23页 |
| ·应变MOS器件性能增强机理 | 第23-29页 |
| ·MOS器件载流子迁移率 | 第23-24页 |
| ·应变Si中载流子迁移率增强机理 | 第24-26页 |
| ·应变SiGe中载流子迁移率增强机理 | 第26-29页 |
| ·MOS器件应力引入技术 | 第29-35页 |
| ·全局应变技术 | 第30-31页 |
| ·局部应变技术 | 第31-34页 |
| ·机械力致应变技术 | 第34-35页 |
| ·小结 | 第35-36页 |
| 第四章 应变Si表面沟道NMOS特性研究 | 第36-48页 |
| ·模拟软件及模拟方法研究 | 第36-39页 |
| ·应变Si表面沟道NMOS器件结构 | 第39-42页 |
| ·应变Si表面沟道NMOS器件结构和主要工艺步骤 | 第39-40页 |
| ·应变Si表面沟道NMOS衬底结构设计 | 第40-42页 |
| ·应变Si表面沟道NMOS电特性研究 | 第42-46页 |
| ·应变Si表面沟道NMOS的直流特性 | 第42-44页 |
| ·应变Si表面沟道NMOS的跨导 | 第44-45页 |
| ·应变Si表面沟道NMOS的频率特性 | 第45-46页 |
| ·小结 | 第46-48页 |
| 第五章 应变SiGe量子阱沟道PMOS特性研究 | 第48-60页 |
| ·应变SiGe量子阱沟道PMOS器件结构及主要工艺步骤 | 第48-50页 |
| ·应变SiGe量子阱沟道PMOS电特性研究 | 第50-53页 |
| ·应变SiGe量子阱沟道PMOS的直流特性 | 第50-52页 |
| ·应变SiGe量子阱沟道PMOS的跨导 | 第52页 |
| ·应变SiGe量子阱沟道PMOS频率特性 | 第52-53页 |
| ·应变SiGe量子阱沟道PMOS寄生表面沟道效应 | 第53-56页 |
| ·Ge组分对器件特性的影响 | 第56-58页 |
| ·小结 | 第58-60页 |
| 第六章 结论与展望 | 第60-62页 |
| ·结论 | 第60页 |
| ·展望 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-69页 |