| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| ·引言 | 第7-8页 |
| ·InP基异质结双极性晶体管的研究进展 | 第8-11页 |
| ·InP基光接收OEIC的研究进展 | 第11-14页 |
| ·本论文的主要工作 | 第14-15页 |
| 第二章 InP/InGaAs HBT和集成InGaAs PD器件物理及表征 | 第15-29页 |
| ·引言 | 第15页 |
| ·InP/InGaAs SHBT 物理原理 | 第15-16页 |
| ·InP/InGaAs SHBT 直流特性 | 第16-19页 |
| ·HBT的电流组成成分 | 第16-17页 |
| ·HBT共发射直流增益 | 第17页 |
| ·BE结开启电压 | 第17-18页 |
| ·击穿电压BVCEO | 第18-19页 |
| ·InP/InGaAs SHBT 幅频特性 | 第19-23页 |
| ·InP/InGaAs SHBT小信号电流增益 | 第19页 |
| ·InP/InGaAs SHBT 频率特性 | 第19-23页 |
| ·集成InGaAs PIN 探测器物理原理 | 第23-28页 |
| ·集成InGaAs PIN探测器的DC响应 | 第24-26页 |
| ·集成InGaAs PIN探测器的AC响应 | 第26-28页 |
| ·总结 | 第28-29页 |
| 第三章 InP SHBT/PIN光接收OEIC结构设计与工艺研究 | 第29-43页 |
| ·引言 | 第29页 |
| ·InP SHBT/集成PIN OEIC外延结构设计 | 第29-32页 |
| ·发射区层结构设计 | 第29-30页 |
| ·基区层结构设计 | 第30页 |
| ·集电区层结构设计 | 第30-32页 |
| ·InP SHBT/集成PIN OEIC横向结构设计 | 第32-34页 |
| ·InP SHBT/集成PIN OEIC 工艺制备流程 | 第34-37页 |
| ·InP SHBT/集成PIN OEIC 关键工艺技术 | 第37-39页 |
| ·InP SHBT/集成PIN OEIC PCM工艺监控 | 第39-41页 |
| ·总结 | 第41-43页 |
| 第四章 InP SHBT/集成PIN PD器件特性和模型 | 第43-55页 |
| ·引言 | 第43页 |
| ·InP SHBT器件特性测试和结果分析 | 第43-48页 |
| ·直流测量和特性分析 | 第43-45页 |
| ·频率测量和特性分析 | 第45-48页 |
| ·集成探测器的特性测试与分析 | 第48-50页 |
| ·集成PIN探测器的DC响应度测试 | 第48-49页 |
| ·集成PIN探测器的频率测试与分析 | 第49-50页 |
| ·HBT参数提取和模型建立 | 第50-52页 |
| ·集成PIN探测器小信号模型 | 第52-54页 |
| ·总结 | 第54-55页 |
| 第五章 InP SHBT/PIN OEIC电路设计和特性分析 | 第55-63页 |
| ·引言 | 第55页 |
| ·InP SHBT/PIN光接收OEIC电路设计与分析 | 第55-59页 |
| ·跨阻前置放大器电路结构和特性 | 第55-57页 |
| ·共基极级联跨阻前置放大器电路分析 | 第57-58页 |
| ·SHBT/PIN光接收OEIC电路设计 | 第58-59页 |
| ·InP SHBT/PIN光接收OEIC版图设计 | 第59-60页 |
| ·InP SHBT/PIN光接收OEIC特性分析 | 第60-62页 |
| ·总结 | 第62-63页 |
| 第六章 10Gb/s InP SHBT共基极级联跨阻放大器研究 | 第63-67页 |
| ·引言 | 第63页 |
| ·InP SHBT外延材料结构设计 | 第63页 |
| ·10Gb/s共基极级联跨阻放大器电路设计和制作 | 第63-64页 |
| ·InP SHBT和共基极级联跨阻放大器特性与分析 | 第64-66页 |
| ·InP SHBT性能和表征 | 第64-65页 |
| ·10Gb/s 共基极-发射极跨阻放大器性能和表征 | 第65-66页 |
| ·总结 | 第66-67页 |
| 第七章 结论和展望 | 第67-69页 |
| ·结论 | 第67-68页 |
| ·展望 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-77页 |
| 研究成果 | 第77-78页 |
