| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| ·SiC材料的特性 | 第8-10页 |
| ·4H-SiC MESFET发展现状 | 第10-12页 |
| ·本文的主要工作 | 第12-14页 |
| 第二章 4H-SiC MESFE的基本模型及数值模拟方法 | 第14-24页 |
| ·ISE TCAD 模拟中的模型及参数选取 | 第14-16页 |
| ·ISE- TCAD简介 | 第14页 |
| ·算法的设置 | 第14-15页 |
| ·基本方程 | 第15-16页 |
| ·4H-SiC MESFET基本模型和研究方法 | 第16-22页 |
| ·材料特性的模型和参数 | 第16-21页 |
| ·使用ISE-TCAD的模拟方法 | 第21-22页 |
| ·本章小结 | 第22-24页 |
| 第三章 陷阱对4H-SiC MESFE直流特性的影响 | 第24-36页 |
| ·MESFET工作原理 | 第24-25页 |
| ·4H-SiC中存在陷阱类型及特点 | 第25-29页 |
| ·表面陷阱 | 第26-28页 |
| ·体陷阱 | 第28-29页 |
| ·表面陷阱对4H-SiC MESFE直流特性的影响 | 第29-34页 |
| ·表面陷阱密度对直流特性的影响 | 第30-32页 |
| ·表面陷阱能级对直流特性的影响 | 第32-33页 |
| ·表面陷阱对跨导和漏导的影响 | 第33-34页 |
| ·本章小结 | 第34-36页 |
| 第四章 隔离层结构对表面陷阱效应的抑制和对直流特性的改善 | 第36-48页 |
| ·隔离层结构的研究现状 | 第36-37页 |
| ·隔离层参数对直流特性的影响 | 第37-45页 |
| ·隔离层掺杂浓度对直流特性的影响 | 第38-39页 |
| ·隔离层厚度对直流特性的影响 | 第39-40页 |
| ·埋栅深度对直流特性的影响 | 第40-45页 |
| ·隔离层结构对直流特性的改善 | 第45-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第五章 隔离层上场板对直流特性的影响 | 第48-57页 |
| ·场板结构 | 第48-49页 |
| ·栅源场板对直流特性的影响 | 第49-51页 |
| ·栅源场板对击穿特性的影响 | 第51-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 第六章 总结与展望 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 硕士期间参加课题 | 第64-65页 |
