| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·研究背景与意义 | 第7-9页 |
| ·论文结构 | 第9-11页 |
| 第二章 纳米MOSFET散粒噪声存在性论证 | 第11-19页 |
| ·数据证明 | 第11-14页 |
| ·理论解释 | 第14-18页 |
| ·存在性分析 | 第14-17页 |
| ·MOSFET弱反型区电流噪声分析 | 第17-18页 |
| ·本章小结 | 第18-19页 |
| 第三章 纳米MOSFET电流噪声成分转变条件分析 | 第19-33页 |
| ·介观导体散粒噪声 | 第19-22页 |
| ·转变条件分析 | 第22-31页 |
| ·准弹道输运电流模型 | 第22-26页 |
| ·转变条件 | 第26-27页 |
| ·理论结果的对比和讨论 | 第27-31页 |
| ·纳米MOSFET低噪声化新思路 | 第31-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第四章 纳米MOSFET散粒噪声抑制模型 | 第33-49页 |
| ·传统散射理论的局限性 | 第33-36页 |
| ·散射理论统一模型 | 第36-44页 |
| ·非相干输运 | 第36-37页 |
| ·库仑作用的引入 | 第37-39页 |
| ·散射理论统一模型 | 第39-44页 |
| ·数值模拟方法 | 第44-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第五章 纳米MOSFET散粒噪声的Monte Carlo模拟 | 第49-59页 |
| ·Monte Carlo模拟 | 第49-54页 |
| ·注入模型 | 第49-51页 |
| ·程序流程图 | 第51-54页 |
| ·模拟结果分析 | 第54-58页 |
| ·偏置电压对散粒噪声抑制的影响分析 | 第54-56页 |
| ·温度及源漏掺杂浓度对散粒噪声抑制的影响分析 | 第56-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第六章 总结与展望 | 第59-61页 |
| ·论文总结 | 第59页 |
| ·展望 | 第59-61页 |
| 致谢 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-69页 |
| 作者在读期间的研究成果 | 第69-70页 |