| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| ·MOS 器件特征尺度进入纳米量级所带来的问题 | 第7-10页 |
| ·栅氧化层的击穿问题 | 第7-8页 |
| ·栅漏电流的增大 | 第8-10页 |
| ·高κ栅介质选择和LaA1O_3 薄膜的优秀性能 | 第10-13页 |
| ·高κ栅介质对直接隧穿电流的抑制作用 | 第10-11页 |
| ·栅介质的选择 | 第11-13页 |
| ·高κ技术的现状与发展 | 第13页 |
| ·本文研究内容及意义 | 第13-15页 |
| 第二章 LaA1O_3薄膜的ALD 生长和基本电参数测量 | 第15-21页 |
| ·ALD 生长简介与特点 | 第15-16页 |
| ·LaA1O_3 薄膜的ALD 生长 | 第16-18页 |
| ·退火对于LaA1O_3 薄膜的影响 | 第18-19页 |
| ·LaA1O_3 薄膜和Si 衬底之间价带导带偏移量的测量 | 第19-20页 |
| ·LaA1O_3 介质薄膜的κ值 | 第20页 |
| ·总结 | 第20-21页 |
| 第三章 LaA1O_3栅介质薄膜电学特征的仿真 | 第21-37页 |
| ·LaA1O_3 栅介质MOSFET 的电特性仿真 | 第21-23页 |
| ·界面陷阱对于栅电容的影响 | 第23-27页 |
| ·界面陷阱的产生机理和其对于栅电容的影响 | 第23-25页 |
| ·LaA1O_3 界面态对C-V 曲线影响的仿真与分析 | 第25-27页 |
| ·LaA1O_3 薄膜良好的热稳定性对于MOSFET 电特性的影响 | 第27-31页 |
| ·LaA1O_3 薄膜的良好热稳定性 | 第27-30页 |
| ·LaA1O_3 良好的热稳定性对器件性能影响的仿真 | 第30-31页 |
| ·LaA1O_3 作为栅介质时的漏电流机制 | 第31-36页 |
| ·热载流子发射(Thermionic emission) | 第32页 |
| ·普尔-法兰克发射(Poole-Freckle emission) | 第32-33页 |
| ·F-N 隧穿(Fowler-Nordheim tunneling) | 第33-35页 |
| ·实际情况的LaA1O_3 薄膜漏电流仿真 | 第35-36页 |
| ·总结 | 第36-37页 |
| 第四章 LaA1O_3栅介质薄膜对于阈值电压的影响 | 第37-53页 |
| ·短沟道效应对于MOSFET 阈值电压的影响 | 第37-39页 |
| ·边缘寄生电容效应 | 第39-46页 |
| ·MOSFET 边缘电容模型 | 第40-45页 |
| ·边缘寄生电容的仿真与验证 | 第45-46页 |
| ·电偶极子层在高κ栅介质中对于平带电压的影响 | 第46-47页 |
| ·LaA1O_3/Si 界面处电偶极子层对于平带电压影响的建模与仿真 | 第47-51页 |
| ·总结 | 第51-53页 |
| 第五章 总结与展望 | 第53-55页 |
| 致谢 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 研究成果 | 第61-62页 |
