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高κ栅介质LaAlO3的电学特性研究

摘要第1-4页
Abstract第4-7页
第一章 绪论第7-15页
   ·MOS 器件特征尺度进入纳米量级所带来的问题第7-10页
     ·栅氧化层的击穿问题第7-8页
     ·栅漏电流的增大第8-10页
   ·高κ栅介质选择和LaA1O_3 薄膜的优秀性能第10-13页
     ·高κ栅介质对直接隧穿电流的抑制作用第10-11页
     ·栅介质的选择第11-13页
   ·高κ技术的现状与发展第13页
   ·本文研究内容及意义第13-15页
第二章 LaA1O_3薄膜的ALD 生长和基本电参数测量第15-21页
   ·ALD 生长简介与特点第15-16页
   ·LaA1O_3 薄膜的ALD 生长第16-18页
   ·退火对于LaA1O_3 薄膜的影响第18-19页
   ·LaA1O_3 薄膜和Si 衬底之间价带导带偏移量的测量第19-20页
   ·LaA1O_3 介质薄膜的κ值第20页
   ·总结第20-21页
第三章 LaA1O_3栅介质薄膜电学特征的仿真第21-37页
   ·LaA1O_3 栅介质MOSFET 的电特性仿真第21-23页
   ·界面陷阱对于栅电容的影响第23-27页
     ·界面陷阱的产生机理和其对于栅电容的影响第23-25页
     ·LaA1O_3 界面态对C-V 曲线影响的仿真与分析第25-27页
   ·LaA1O_3 薄膜良好的热稳定性对于MOSFET 电特性的影响第27-31页
     ·LaA1O_3 薄膜的良好热稳定性第27-30页
     ·LaA1O_3 良好的热稳定性对器件性能影响的仿真第30-31页
   ·LaA1O_3 作为栅介质时的漏电流机制第31-36页
     ·热载流子发射(Thermionic emission)第32页
     ·普尔-法兰克发射(Poole-Freckle emission)第32-33页
     ·F-N 隧穿(Fowler-Nordheim tunneling)第33-35页
     ·实际情况的LaA1O_3 薄膜漏电流仿真第35-36页
   ·总结第36-37页
第四章 LaA1O_3栅介质薄膜对于阈值电压的影响第37-53页
   ·短沟道效应对于MOSFET 阈值电压的影响第37-39页
   ·边缘寄生电容效应第39-46页
     ·MOSFET 边缘电容模型第40-45页
     ·边缘寄生电容的仿真与验证第45-46页
   ·电偶极子层在高κ栅介质中对于平带电压的影响第46-47页
   ·LaA1O_3/Si 界面处电偶极子层对于平带电压影响的建模与仿真第47-51页
   ·总结第51-53页
第五章 总结与展望第53-55页
致谢第55-57页
参考文献第57-61页
研究成果第61-62页

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