| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-20页 |
| ·纳米MOS器件面临的挑战 | 第8-13页 |
| ·器件尺寸缩小对工艺技术的挑战 | 第9页 |
| ·栅氧化层的可靠性 | 第9-10页 |
| ·栅氧化层的遂穿电流 | 第10-12页 |
| ·多晶硅耗尽和量子效应的影响 | 第12-13页 |
| ·高κ栅介质的优越性及存在的问题 | 第13-17页 |
| ·高κ栅介质替代SiO_2介质的原则 | 第13-15页 |
| ·高κ栅介质的介电常数和能带结构 | 第15-17页 |
| ·高κ栅介质面临的可靠性问题 | 第17页 |
| ·本文研究内容及意义 | 第17-20页 |
| 第二章 高κ栅介质纳米MOS器件栅漏电流的研究 | 第20-34页 |
| ·器件模拟软件简介 | 第20-23页 |
| ·栅漏电流的物理机制 | 第23-27页 |
| ·直接隧穿(Direct Tunneling ) | 第23-24页 |
| ·F-N隧穿(Fowler-Nordheim Tunneling) | 第24-26页 |
| ·Frenkel-Poole 发射 | 第26页 |
| ·热电子发射 | 第26-27页 |
| ·高κ栅介质漏电流的模拟结果及分析 | 第27-33页 |
| ·直接隧穿电流的模拟与分析 | 第27-30页 |
| ·F-N隧穿电流的模拟与分析 | 第30-31页 |
| ·热电子发射的模拟与分析 | 第31-33页 |
| ·高κ栅介质新漏电机制的探讨 | 第33页 |
| ·小结 | 第33-34页 |
| 第三章 高κ栅介质中陷阱电荷的研究 | 第34-56页 |
| ·高κ栅介质中电子陷阱的特性 | 第34-41页 |
| ·界面态的产生机理 | 第34-36页 |
| ·电应力下陷阱的产生 | 第36-37页 |
| ·电子陷阱的表征 | 第37-41页 |
| ·陷阱电荷对MOS器件电容-电压特性的影响 | 第41-51页 |
| ·理想MOS结构的电容-电压特性 | 第41-43页 |
| ·界面陷阱对MOS电容的贡献 | 第43页 |
| ·模拟结果与分析 | 第43-51页 |
| ·低频C-V曲线提取陷阱电荷分布的研究 | 第51-55页 |
| ·小结 | 第55-56页 |
| 第四章 高κ栅介质纳米MOS器件的边缘电场效应 | 第56-66页 |
| ·边缘电场效应的物理机制 | 第56-59页 |
| ·边缘电场效应对MOS器件阈值电压和亚阈摆幅的影响 | 第59-65页 |
| ·阈值电压和亚阈斜率的提取 | 第59-60页 |
| ·模拟结果与分析 | 第60-65页 |
| ·小结 | 第65-66页 |
| 第五章 总结 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-74页 |
| 攻读硕士期间的研究成果 | 第74-75页 |