| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·P-i-N二极管与平面SBD | 第10-12页 |
| ·非平面SBD | 第12-16页 |
| ·TMBS、GD-TMBS详细介绍与本论文研究内容 | 第16-21页 |
| 第二章 数值模拟方法探索 | 第21-33页 |
| ·引言 | 第21-22页 |
| ·数值模拟软件Csuprem与Apsys简介 | 第22-26页 |
| ·Csuprem | 第22-24页 |
| ·Apsys | 第24-26页 |
| ·对平而SBD的"实验——模拟"验证 | 第26-29页 |
| ·对TMBS的模拟结果与已有文献的对比 | 第29-30页 |
| ·对GD-TMBS的模拟结果与已有文献的对比 | 第30-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 TM-TMBS建模与模拟 | 第33-52页 |
| ·理论基础 | 第33-35页 |
| ·碰撞电离 | 第33-34页 |
| ·TMBS的不足 | 第34-35页 |
| ·TM-TMBS器件建模 | 第35-36页 |
| ·TM-TMBS设计参数的优化与分析 | 第36-46页 |
| ·台而顶部宽度α | 第36-39页 |
| ·台而底部角度γ | 第39-41页 |
| ·氧化层厚度t_(ox) | 第41-43页 |
| ·沟槽深度d | 第43-45页 |
| ·设计原则 | 第45-46页 |
| ·优化结构电场分布与正、反向Ⅰ-Ⅴ特性 | 第46-50页 |
| ·电场分布 | 第46-47页 |
| ·反向Ⅰ-Ⅴ特性 | 第47-48页 |
| ·正向Ⅰ-Ⅴ特性 | 第48-50页 |
| ·TM-TMBS的可能实现工艺 | 第50页 |
| ·本章小结 | 第50-52页 |
| 第四章 GD-TM-TMBS建模与模拟 | 第52-63页 |
| ·GD-TMBS的不足 | 第52-53页 |
| ·GD-TM-TMBS器件建模 | 第53-54页 |
| ·GD-TM-TMBS设计参数的优化与分析 | 第54-57页 |
| ·台面底部角度γ | 第54-56页 |
| ·台面顶部宽度α | 第56-57页 |
| ·GD-TM-TMBS杂质浓度分布优化 | 第57-62页 |
| ·解析推导 | 第58-61页 |
| ·对新杂质浓度分布的模拟 | 第61-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 第五章 RC-TMBS建模与模拟 | 第63-77页 |
| ·RC-TMBS器件建模 | 第63-64页 |
| ·RC-TMBS的Csuprem模拟 | 第64-72页 |
| ·Csuprem+Apsys方法的一致性验证 | 第65-68页 |
| ·Csuprem模拟制作的RC-TMBS | 第68-72页 |
| ·RC-TMBS的Apsys模拟 | 第72-76页 |
| ·电场分布 | 第72-73页 |
| ·反向Ⅰ-Ⅴ特性 | 第73-74页 |
| ·正向Ⅰ-Ⅴ特性 | 第74-76页 |
| ·本章小结 | 第76-77页 |
| 第六章 结论 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-80页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文和申请专利 | 第80-81页 |
| 致谢 | 第81-82页 |