当前位置:
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
应变Si NMOS器件集约模型研究
GaN基太赫兹器件的新结构及材料生长研究
PMOSFET器件NBTI效应的机制与模型研究
现代半导体制造中质量控制和评价的关键技术研究
典型半导体器件的高功率微波效应研究
GaN基半导体材料与HEMT器件辐照效应研究
半导体器件的电磁损伤效应与机理研究
硅基双轴应变MOS器件及其仿真关键技术研究
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管模型研究
半导体分立器件在不同温度条件下的可靠性研究
基于化学气相沉积的石墨烯场效应晶体管研究
P型VDMOS器件NBTI效应的研究
GaN上外延GaN的生长界面及其处理方法研究
波导型微波调配器及调配器在晶体管噪声参数测量中的应用
HEMT器件高功率微波损伤机理研究
PIN二极管的高功率微波毁伤机理研究
N面GaN外延材料生长与背景载流子抑制方法研究
AlGaN沟道异质结材料生长优化与高压HEMT器件研究
InN外延薄膜成核与重构的机理研究
立方体GaN材料及其异质结输运特性的相关研究
GaN基紫外LED的p层外延工艺优化
功率VDMOS器件的高温可靠性研究
化学气相淀积石墨烯在不同衬底上的表征以及多层石墨烯在有机太阳能电池中的应用
应变Ge载流子迁移率散射机制及模型研究
氧化铪MIS器件C-V特性及辐照效应研究
Boost型六路白光LED驱动芯片的设计与实现
基于3C-SiC外延生长石墨烯的方法与侧栅石墨烯晶体管模拟的研究
高κ围栅MOSFET器件的栅极隧穿电流研究
电磁脉冲对MOSFET的热效应的分析与研究
晶圆级单轴应变SOI制备及有限元模拟研究
氮化物双异质结材料优化生长及其载流子输运性质研究
应变锗应变张量模型及导带能级结构的研究
PMOCVD生长InAIN的计算流体动力学模拟研究
一款高精度原边反馈恒流LED驱动芯片的设计
高精度掩模版电子束光刻关键技术研究
基于良好散热的LED光纤耦合装置结构设计
GaSb欧姆接触制备及电学特性研究
化学法制备黑硅薄膜及性能研究
基于FPGA的面阵CCD成像系统研究
一种基于单片机的面阵OLED驱动电路设计
GaN/Si材料的外延生长研究
NiO薄膜的制备及其掺杂技术研究
基于APD的光子成像技术研究
传感器芯片用紫外发光二极管特性研究
LED结构抗静电性能的研究
激光干涉图案的二维相移控制研究
基于PSD的透镜定心仪的研究
三光束大面积光刻及表面结构检测
大功率LED用COB陶瓷基板的制备及封装性能
卤化氧铋单体及复合异质结半导体材料的制备与性能研究
上一页
[106]
[107]
[108]
[109]
[110]
下一页