| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-15页 |
| ·GaN材料的基本性质 | 第8-10页 |
| ·GaN基材料的研究进展 | 第10-12页 |
| ·研究的意义和目的 | 第12-13页 |
| ·研究意义 | 第12-13页 |
| ·研究目的 | 第13页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第13-15页 |
| 第二章 材料生长技术及测试表征方法 | 第15-26页 |
| ·金属有机化合物化学气相沉积简介 | 第15-18页 |
| ·MOCVD生长机制 | 第15-16页 |
| ·MOCVD设备简介 | 第16-18页 |
| ·外延生长GaN材料常用衬底 | 第18-22页 |
| ·蓝宝石衬底 | 第18-20页 |
| ·SiC衬底 | 第20-21页 |
| ·Si衬底 | 第21-22页 |
| ·外延材料表征 | 第22-24页 |
| ·晶体质量的测试表征 | 第22-23页 |
| ·光学性能的测试表征 | 第23-24页 |
| ·原子力显微镜 | 第24页 |
| ·本章小结 | 第24-26页 |
| 第三章 高温AlN缓冲层对GaN/Si(111)材料外延生长的影响 | 第26-40页 |
| ·引言 | 第26-27页 |
| ·生长前衬底的处理 | 第27-28页 |
| ·样品的制备 | 第28-29页 |
| ·高温AlN缓冲层技术 | 第29-36页 |
| ·预辅Al对GaN外延的影响 | 第29-31页 |
| ·高温AlN缓冲层厚度对GaN材料外延的影响 | 第31-36页 |
| ·不同生长速率条件下AlN表面形貌的研究 | 第36-38页 |
| ·本章小结 | 第38-40页 |
| 第四章 GaN/Si(111)材料晶体质量的优化 | 第40-47页 |
| ·GaN外延膜中位错的表征 | 第40-42页 |
| ·GaN/Si(111)外延材料晶体质量的优化 | 第42-46页 |
| ·实验设计 | 第42页 |
| ·优化成核层对GaN材料晶体质量的影响 | 第42-44页 |
| ·优化合并层对GaN材料晶体质量的影响 | 第44-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 结论 | 第47-48页 |
| 致谢 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-51页 |
| 硕士期间发表论文情况 | 第51页 |