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晶圆级单轴应变SOI制备及有限元模拟研究

摘要第1-6页
Abstract第6-9页
第一章 绪论第9-17页
   ·引言第9-11页
   ·国内外应变SOI的研究现状第11-14页
     ·晶圆级双轴应变SOI技术第11-13页
     ·晶圆级单轴应变SOI技术第13-14页
   ·本论文的内容安排第14-17页
第二章 SOI晶圆材料的力学理论与材料特性第17-33页
   ·弹塑性力学理论基础第17-28页
     ·弹塑性力学的基本假设和力学参量第17-19页
     ·应力应变曲线第19-20页
     ·各向异性材料的基本方程第20-22页
     ·屈服准则第22-26页
     ·卸载定理第26-28页
   ·SOI材料的热学与力学特性第28-32页
     ·Si材料的热学与力学特性第28-32页
     ·SiO_2材料的热学和力学特性第32页
   ·小结第32-33页
第三章 晶圆级机械致单轴应变SOI的制作工艺原理第33-41页
   ·工艺原理第33-36页
     ·张应变的工艺原理第33-35页
     ·压应变工艺原理第35-36页
   ·工艺步骤第36-39页
     ·实验装置第36-37页
     ·具体工艺步骤第37-39页
   ·小结第39-41页
第四章 晶圆级单轴应变SOI材料的应力应变表征第41-55页
   ·Raman光谱分析第41-48页
     ·Raman原理第41-43页
     ·Raman应力测试第43-46页
     ·Raman测试结果分析第46-48页
   ·光纤光栅应力测试第48-53页
     ·光纤光栅应力测试原理第48页
     ·光纤光栅应力测试第48-52页
     ·光纤光栅应力测试结果分析第52-53页
   ·小结第53-55页
第五章 晶圆级机械致单轴应变SOI应力分布的有限元分析第55-75页
   ·有限元模型的建立第55-58页
     ·几何模型的建立第55-56页
     ·模型单元的选择和材料参数的设置第56页
     ·网格划分和载荷条件第56-58页
   ·应力应变模拟结果分析第58-72页
     ·单轴张应变SOI各层应力应变分布第58-68页
     ·单轴压应变SOI各层应力应变分布第68-72页
     ·ANSYS模拟结果和光纤光栅应变测试结果的比较第72页
   ·小结第72-75页
第六章 结论第75-77页
   ·研究的结论第75-76页
   ·进一步的工作第76-77页
致谢第77-79页
参考文献第79-85页
攻读硕士研究生期间的研究成果第85-86页

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