GaSb欧姆接触制备及电学特性研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-16页 |
| ·引言 | 第7-8页 |
| ·锑化物半导体激光器研究进展 | 第8-12页 |
| ·锑化物表面钝化的研究进展 | 第12-14页 |
| ·锑化物欧姆接触研究进展 | 第14-15页 |
| ·本论文的主要工作 | 第15-16页 |
| 第二章 表面硫钝化技术研究 | 第16-20页 |
| ·表面态 | 第16-17页 |
| ·表面态对半导体器件的影响 | 第17页 |
| ·Ⅲ-Ⅴ族半导体表面钝化介绍 | 第17页 |
| ·GaSb表面硫钝化技术研究 | 第17-20页 |
| 第三章 金属—半导体接触 | 第20-36页 |
| ·功函数 | 第20-21页 |
| ·电势差 | 第21-22页 |
| ·表面态 | 第22-24页 |
| ·电流传输机理 | 第24-33页 |
| ·GaSb基半导体欧姆接触 | 第33-36页 |
| 第四章 GaSb钝化实验及结果分析 | 第36-41页 |
| ·GaSb的钝化方法以及钝化溶液的选择 | 第36页 |
| ·实验方案 | 第36页 |
| ·仪器介绍 | 第36-38页 |
| ·实验结果及分析 | 第38-41页 |
| 第五章 GaSb欧姆接触制备及特性研究 | 第41-54页 |
| ·欧姆接触设计方案 | 第41页 |
| ·实验仪器 | 第41-46页 |
| ·欧姆接触实验过程 | 第46-48页 |
| ·GaSb基欧姆接触表面形貌的分析 | 第48-49页 |
| ·Ⅰ-Ⅴ测量及GaSb欧姆接触电阻率计算 | 第49-54页 |
| 第六章 结论与展望 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |