| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| ·MOSFET器件的发展历程 | 第9-10页 |
| ·MOSFET面临的挑战 | 第10-12页 |
| ·器件尺寸缩小所面临的工艺问题 | 第11页 |
| ·器件尺寸缩小的物理限制 | 第11-12页 |
| ·提高MOSFET器件性能的主要方案 | 第12-14页 |
| ·栅介质工程 | 第13-14页 |
| ·新型MOSFET器件结构 | 第14页 |
| ·围栅MOSFET器件的发展现状 | 第14-18页 |
| ·本文的主要研究工作和内容安排 | 第18-21页 |
| 第二章 MOSFET器件中的隧穿理论 | 第21-41页 |
| ·量子理论的势垒贯穿 | 第21-26页 |
| ·半导体中的隧穿效应 | 第26-33页 |
| ·隧穿几率 | 第27-28页 |
| ·F-N隧穿 | 第28-29页 |
| ·直接隧穿 | 第29-33页 |
| ·仿真工具 | 第33-40页 |
| ·ISE中的三大模块 | 第33-39页 |
| ·ISE中添加新型材料 | 第39-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第三章 长沟道高κ围栅MOSFET器件栅极隧穿电流解析模型 | 第41-57页 |
| ·长沟道高κ栅介质替代SiO2的要求 | 第41-43页 |
| ·长沟道高κ圆柱围栅MOSFET栅极直接隧穿电流 | 第43-54页 |
| ·长沟道高κ围栅MOSFET器件的几何模型 | 第43-44页 |
| ·表面电势模型 | 第44-48页 |
| ·表面电场模型 | 第48-49页 |
| ·直接隧穿电流模型 | 第49-54页 |
| ·本章小结 | 第54-57页 |
| 第四章 长沟道高κ栅栈结构圆柱围栅MOSFET器件栅极隧穿电流解析模型 | 第57-71页 |
| ·长沟道高κ栅栈结构圆柱围栅MOSFET器件的提出 | 第57-58页 |
| ·长沟道高κ栅栈结构圆柱围栅MOSFET器件的几何模型 | 第58-59页 |
| ·长沟道高κ栅栈结构圆柱围栅MOSFET器件栅极直接隧穿电流 | 第59-68页 |
| ·表面势模型 | 第59-63页 |
| ·隧穿几率的求解 | 第63页 |
| ·栅极直接隧穿电流的解析模型 | 第63-68页 |
| ·本章小结 | 第68-71页 |
| 第五章 结论 | 第71-73页 |
| 致谢 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-83页 |
| 攻读硕士研究生期间的研究成果 | 第83-84页 |
