基于化学气相沉积的石墨烯场效应晶体管研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·石墨烯的发现 | 第10-12页 |
| ·石墨烯的结构 | 第12页 |
| ·石墨烯的电学性质 | 第12页 |
| ·石墨烯在晶体管中的应用 | 第12-13页 |
| ·石墨烯晶体管的研究方向 | 第13-15页 |
| ·石墨烯场效应晶体管在数字电路中的应用 | 第14-15页 |
| ·石墨烯场效应晶体管在射频电路中的应用 | 第15页 |
| ·石墨烯场效应器件研究进展 | 第15-16页 |
| ·论文工作与内容安排 | 第16-19页 |
| 第二章 石墨烯的制备与表征 | 第19-29页 |
| ·概述 | 第19页 |
| ·石墨烯的制备方法概述 | 第19-20页 |
| ·金属催化 CVD 生长方法 | 第20-23页 |
| ·铜衬底催化 CVD 方法生长石墨烯的设备 | 第20-22页 |
| ·石墨烯 CVD 生长流程 | 第22-23页 |
| ·石墨烯转移流程 | 第23-25页 |
| ·石墨烯的表征 | 第25-27页 |
| ·光学显微镜表征 | 第25页 |
| ·拉曼光谱 | 第25-26页 |
| ·原子力显微镜 | 第26-27页 |
| ·非接触霍尔测试仪 | 第27页 |
| ·小结 | 第27-29页 |
| 第三章 石墨烯场效应器件理论 | 第29-37页 |
| ·石墨烯场效应器件结构 | 第29-30页 |
| ·石墨烯中的电荷 | 第30-32页 |
| ·石墨烯场效应器件直流特性 | 第32-34页 |
| ·双极性导电 | 第32页 |
| ·最小电导率 | 第32-33页 |
| ·输出特性 | 第33页 |
| ·速度饱和和高电场效应 | 第33-34页 |
| ·寄生电阻影响 | 第34页 |
| ·石墨烯迁移率 | 第34-35页 |
| ·石墨烯迁移率影响因素 | 第34页 |
| ·石墨烯迁移率的计算与提取 | 第34-35页 |
| ·小结 | 第35-37页 |
| 第四章 石墨烯场效应器件工艺 | 第37-47页 |
| ·石墨烯超声辅助去胶 | 第37-40页 |
| ·金属接触 | 第40-41页 |
| ·蒸发剥离技术 | 第41页 |
| ·石墨烯有源区图形化 | 第41-43页 |
| ·绝缘介质生长 | 第43-44页 |
| ·工艺整合 | 第44-45页 |
| ·小结 | 第45-47页 |
| 第五章 石墨烯场效应器件制备、测试与性能分析 | 第47-55页 |
| ·材料准备 | 第47-48页 |
| ·Si-SiO_2衬底上的石墨烯背栅场效应器件 | 第48-52页 |
| ·Si-SiO_2衬底上的石墨烯顶栅器件 | 第52-54页 |
| ·小结 | 第54-55页 |
| 第六章 总结与展望 | 第55-57页 |
| ·研究成果和创新点 | 第55页 |
| ·未来工作展望 | 第55-57页 |
| 致谢 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-65页 |
| 研究成果 | 第65-66页 |
