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AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管模型研究

摘要第1-4页
Abstract第4-7页
第一章 绪论第7-15页
   ·研究背景第7-8页
   ·器件模型研究的重要性第8-9页
   ·器件模型研究的国内外进展第9-13页
     ·器件模型研究的国内外进展第9-10页
     ·器件可变温模型研究的国内外进展第10-13页
   ·论文主要内容第13-15页
第二章 AlGaN/GaN HEMT 器件及模型第15-39页
   ·AlGaN/GaN HEMT 器件第15-31页
     ·AlGaN/GaN HEMT 器件理论第15-16页
     ·AlGaN/GaN HEMT 器件材料第16-17页
     ·AlGaN/GaN HEMT 器件结构第17-19页
     ·AlGaN/GaN HEMT 器件工艺第19-27页
     ·AlGaN/GaN HEMT 器件特性第27-31页
   ·AlGaN/GaN HEMT 器件小信号模型第31-34页
   ·AlGaN/GaN HEMT 器件大信号模型第34-37页
     ·物理模型第34-35页
     ·表格模型第35-36页
     ·经验模型第36-37页
   ·小结第37-39页
第三章 AlGaN/GaN HEMT 器件小信号与大信号建模第39-69页
   ·AlGaN/GaN HEMT 器件小信号建模第39-59页
     ·小信号模型参数提取方法介绍第39-49页
     ·AlGaN/GaN HEMT 器件小信号建模第49-59页
   ·AlGaN/GaN HEMT 器件大信号建模第59-67页
     ·直流特性拟合第59-64页
     ·非线性电容的拟合第64-65页
     ·引入频散效应第65-66页
     ·大信号模型建立与验证第66-67页
   ·小结第67-69页
第四章 AlGaN/GaN HEMT 器件可变温小信号建模第69-77页
   ·可变温小信号建模第69-75页
   ·小结第75-77页
第五章 结束语第77-79页
致谢第79-81页
参考文献第81-87页
研究成果第87-88页

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