| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-23页 |
| ·N 面 GaN 材料的基本特性 | 第11-14页 |
| ·GaN 材料的基本特性 | 第11-12页 |
| ·GaN 原子的排列结构 | 第12-13页 |
| ·N 面 GaN 原子的极化效应 | 第13-14页 |
| ·O、C、In、Mg 杂质在 N 面 GaN 材料的影响 | 第14-16页 |
| ·O、C 的非故意掺杂 | 第14-15页 |
| ·In 和 Mg 的故意掺杂 | 第15-16页 |
| ·N 面 GaN 材料的应用和发展状况 | 第16-18页 |
| ·N 面 GaN/AlGaN 异质结构 | 第16-17页 |
| ·N 面 GaN/InAlN HEMT 器件 | 第17页 |
| ·N 面 GaN 材料的其他应用 | 第17-18页 |
| ·N 面 GaN 材料的优势和困难 | 第18-20页 |
| ·N 面 GaN 材料的优势 | 第18-19页 |
| ·N 面 GaN 材料所面临的困难及解决办法 | 第19-20页 |
| ·论文的主要研究内容 | 第20-23页 |
| 第二章 GaN 外延生长技术和材料表征方法 | 第23-31页 |
| ·MOCVD 生长系统 | 第23-24页 |
| ·材料表征与测试技术 | 第24-30页 |
| ·原子力显微镜（AFM） | 第24-25页 |
| ·高分辨 X 射线衍射（HRXRD） | 第25-26页 |
| ·电学表征 | 第26-28页 |
| ·电容-电压测试（C-V） | 第26-27页 |
| ·范德堡霍尔效应测试（Van-der-Pauw Hall） | 第27-28页 |
| ·光致发光谱（PL） | 第28-29页 |
| ·拉曼光谱(Raman) | 第29-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 生长工艺参数对 N 面 GaN 材料质量的影响 | 第31-47页 |
| ·MOCVD 生长 N 面 GaN 材料的关键工艺研究 | 第31-36页 |
| ·衬底对 N 面 GaN 材料的影响 | 第31-34页 |
| ·衬底表面氮化处理对材料的影响 | 第34页 |
| ·成核层生长对 N 面 GaN 材料的影响 | 第34-36页 |
| ·外延层生长温度对 N 面 GaN 材料的影响 | 第36-41页 |
| ·外延层生长温度对 N 面 GaN 材料的影响规律研究 | 第36-39页 |
| ·低温 GaN 插入层 | 第39-41页 |
| ·N 面 GaN 材料的电学特性 | 第41-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章 AlGaN 缓冲层对 N 面 GaN 背景载流子的抑制 | 第47-63页 |
| ·AlGaN 缓冲层降低 N 面 GaN 材料中背景载流子浓度 | 第47-50页 |
| ·背景载流子的危害和产生原因 | 第47页 |
| ·采用 Fe 掺杂降低背景载流子 | 第47-48页 |
| ·采用 AlGaN 缓冲层降低背景载流子 | 第48-50页 |
| ·使用 Silvaco 仿真的 AlGaN 缓冲层的能带结构 | 第50-52页 |
| ·AlGaN 与 GaN 复合结构缓冲层 | 第50-51页 |
| ·缓变 AlGaN 缓冲层 | 第51-52页 |
| ·AlGaN 缓冲层 N 面 GaN 材料生长与表征 | 第52-60页 |
| ·低 Al 组分 AlGaN 缓冲层 | 第53-56页 |
| ·采用高 Al 组分的 AlGaN 缓冲层 | 第56-58页 |
| ·缓变 AlGaN 缓冲层 | 第58-60页 |
| ·总结 | 第60页 |
| ·本章小结 | 第60-63页 |
| 第五章 总结和展望 | 第63-65页 |
| ·总结 | 第63-64页 |
| ·展望 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-75页 |
| 攻读硕士期间的研究成果和参加的科研项目 | 第75-76页 |
