应变Si NMOS器件集约模型研究
| 作者简介 | 第1-4页 |
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·应变Si技术发展历程 | 第10-13页 |
| ·应变Si技术实现方法 | 第10-13页 |
| ·应变Si器件发展历程 | 第13页 |
| ·应变Si MOS器件模型的发展及其存在的问题 | 第13-14页 |
| ·论文的研究目的与主要工作 | 第14-17页 |
| 第二章 应变Si NMOSFET等效电路研究 | 第17-33页 |
| ·引言 | 第17页 |
| ·器件结构及其基本工作原理 | 第17-18页 |
| ·直流等效电路 | 第18-20页 |
| ·交流等效电路 | 第20-31页 |
| ·寄生电容 | 第20-21页 |
| ·大信号等效电路模型 | 第21-26页 |
| ·小信号等效电路模型 | 第26-30页 |
| ·不同参考点模型的比较 | 第30-31页 |
| ·本章小结 | 第31-33页 |
| 第三章 MOS结构研究 | 第33-49页 |
| ·引言 | 第33页 |
| ·应变Si 物理特性 | 第33-36页 |
| ·晶体结构 | 第33-35页 |
| ·能带结构 | 第35-36页 |
| ·载流子迁移率 | 第36页 |
| ·MOS结构 | 第36-48页 |
| ·电荷模型 | 第37-43页 |
| ·小信号电容模型 | 第43-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 应变Si NMOSFET稳态模型研究 | 第49-69页 |
| ·引言 | 第49页 |
| ·阈值电压模型 | 第49-57页 |
| ·长沟阈值电压模型 | 第49-50页 |
| ·短沟道效应和漏致势垒降低效应对阈值电压的影响 | 第50-53页 |
| ·窄沟道效应对阈值电压的影响 | 第53-54页 |
| ·完整的阈值电压模型 | 第54-55页 |
| ·阈值电压模型仿真结果讨论 | 第55-57页 |
| ·漏源电流模型 | 第57-67页 |
| ·长沟器件分段模型 | 第59-61页 |
| ·小尺寸效应模型 | 第61-66页 |
| ·平滑函数 | 第66-67页 |
| ·统一的漏电流模型 | 第67页 |
| ·衬底电流模型 | 第67-68页 |
| ·本章小结 | 第68-69页 |
| 第五章 应变Si NMOSFET动态模型研究 | 第69-83页 |
| ·引言 | 第69页 |
| ·电荷电容模型 | 第69-79页 |
| ·Meyer模型 | 第70-75页 |
| ·基于电荷的电容模型 | 第75-79页 |
| ·寄生模型 | 第79-81页 |
| ·寄生电阻 | 第80页 |
| ·寄生二极管 | 第80-81页 |
| ·本章小结 | 第81-83页 |
| 第六章 参数提取与实验验证 | 第83-99页 |
| ·引言 | 第83页 |
| ·实验与参数提取 | 第83-90页 |
| ·实验 | 第83-84页 |
| ·测试 | 第84-85页 |
| ·参数提取 | 第85-90页 |
| ·模型验证 | 第90-97页 |
| ·阈值电压模型 | 第91-93页 |
| ·漏电流模型 | 第93-94页 |
| ·衬底电流模型 | 第94-95页 |
| ·电容模型 | 第95-97页 |
| ·本章小结 | 第97-99页 |
| 第七章 总结 | 第99-101页 |
| ·论文的主要工作与成果 | 第99-100页 |
| ·对进一步研究工作的考虑 | 第100-101页 |
| 致谢 | 第101-103页 |
| 参考文献 | 第103-117页 |
| 在读期间的研究成果 | 第117-119页 |
