| 作者简介 | 第1-4页 |
| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| ·硅基 MOS 器件的发展及存在的问题 | 第10-13页 |
| ·硅基应变技术研究现状 | 第13-18页 |
| ·硅基应变器件发展历程 | 第13页 |
| ·应变实现方式研究现状 | 第13-17页 |
| ·硅基双轴应变 MOS 器件模型参数提取技术研究现状 | 第17-18页 |
| ·论文的研究目的与主要工作 | 第18-20页 |
| ·研究目的 | 第18页 |
| ·主要工作 | 第18-20页 |
| 第二章 硅基双轴应变材料特性及其制备技术研究 | 第20-34页 |
| ·硅基双轴应变材料基本特性 | 第20-25页 |
| ·硅基双轴应变材料晶体结构 | 第20-21页 |
| ·硅基双轴应变材料能带结构 | 第21-24页 |
| ·硅基双轴应变材料载流子迁移率 | 第24-25页 |
| ·硅基双轴应变材料位错控制技术 | 第25-29页 |
| ·硅基双轴应变材料位错形成机理 | 第25-26页 |
| ·硅基双轴应变材料位错行为 | 第26-27页 |
| ·硅基双轴应变材料位错控制 | 第27-29页 |
| ·硅基双轴应变材料制备及其表征 | 第29-33页 |
| ·基于渐变组分 SiGe 缓冲层的应变 Si/SiGe 材料 | 第29-30页 |
| ·基于低温 Si 技术的应变 Si/SiGe 材料 | 第30-32页 |
| ·低温 Si 与渐变 SiGe 层技术相结合的应变 Si/SiGe 材料 | 第32-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 硅基双轴应变 MOS 结构 C-V 特性研究 | 第34-56页 |
| ·应变 Si pMOS 结构 C-V 特性 | 第34-42页 |
| ·应变 Si pMOS 纵向结构载流子输运机制 | 第35-37页 |
| ·应变 Si pMOS 结构 C-V 特性中“台阶”形成机理 | 第37页 |
| ·应变 Si pMOS 结构 C-V 特性模型 | 第37-41页 |
| ·应变 Si pMOS 结构 C-V 模型仿真结果 | 第41-42页 |
| ·应变 SiGe pMOS 结构 C-V 特性 | 第42-50页 |
| ·应变 SiGe pMOS 纵向结构载流子输运机制 | 第43-45页 |
| ·应变 SiGe pMOS 结构 C-V 特性中“台阶”形成机理 | 第45页 |
| ·应变 SiGe pMOS 结构 C-V 特性模型 | 第45-48页 |
| ·应变 SiGe pMOS 结构 C-V 模型仿真结果 | 第48-50页 |
| ·应变 Si nMOS 结构 C-V 特性 | 第50-55页 |
| ·应变 Si nMOS 纵向结构载流子输运机制 | 第50-51页 |
| ·应变 Si nMOS 结构 C-V 特性中“台阶”形成机理 | 第51页 |
| ·应变 Si nMOS 结构 C-V 特性模型 | 第51-54页 |
| ·应变 Si nMOS 结构 C-V 模型仿真结果 | 第54-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第四章 硅基双轴应变 MOSFET 阈值电压特性研究 | 第56-78页 |
| ·应变 Si pMOSFET 阈值电压特性 | 第56-63页 |
| ·应变 Si pMOSFET 强反型沟道开启条件 | 第56-58页 |
| ·应变 Si pMOSFET 平带电压分析 | 第58-59页 |
| ·应变 Si pMOSFET 阈值电压模型 | 第59-61页 |
| ·应变 Si pMOSFET 阈值电压模型仿真结果 | 第61-63页 |
| ·应变 SiGe pMOSFET 阈值电压特性 | 第63-70页 |
| ·应变 SiGe pMOSFET 强反型沟道开启条件 | 第64-65页 |
| ·应变 SiGe pMOSFET 阈值电压模型 | 第65-68页 |
| ·应变 SiGe pMOSFET 阈值电压模型仿真结果 | 第68-70页 |
| ·异质多晶 SiGe 栅应变 Si nMOSFET 阈值电压特性 | 第70-76页 |
| ·异质多晶 SiGe 栅应变 Si nMOSFET 强反型沟道开启条件 | 第70-72页 |
| ·异质多晶 SiGe 栅应变 Si nMOSFET 阈值电压模型 | 第72-75页 |
| ·异质多晶 SiGe 栅应变 Si nMOSFET 阈值电压模型仿真结果 | 第75-76页 |
| ·本章小结 | 第76-78页 |
| 第五章 硅基双轴应变 MOS 器件模型参数提取与仿真技术研究 | 第78-112页 |
| ·硅基双轴应变 MOS 器件模型参数提取技术 | 第78-96页 |
| ·硅基双轴应变 MOS 器件模型参数提取流程 | 第78-82页 |
| ·模型参数提取方法及其程序实现 | 第82-90页 |
| ·硅基双轴应变 MOS 器件模型参数提取结果优化 | 第90-94页 |
| ·硅基双轴应变 MOS 器件模型参数提取软件 | 第94-96页 |
| ·硅基双轴应变 MOS 器件 EDA 仿真技术 | 第96-110页 |
| ·硅基双轴应变 MOS 器件的制备与测试 | 第97-106页 |
| ·硅基双轴应变 MOS 器件等效电路 | 第106-109页 |
| ·参数提取结果的 EDA 仿真验证 | 第109-110页 |
| ·本章小结 | 第110-112页 |
| 第六章 总结与展望 | 第112-114页 |
| ·主要研究工作和创新性成果 | 第112-113页 |
| ·对未来工作的进一步考虑 | 第113-114页 |
| 致谢 | 第114-116页 |
| 参考文献 | 第116-136页 |
| 在读期间的研究成果 | 第136-139页 |
