功率VDMOS器件的高温可靠性研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-14页 |
| ·功率器件可靠性的研究背景 | 第10-11页 |
| ·高温微电子国内外研究现状 | 第11-12页 |
| ·国外研究现状 | 第11-12页 |
| ·国内研究现状 | 第12页 |
| ·功率器件发展现状及课题来源 | 第12-13页 |
| ·本文的主要研究工作与内容安排 | 第13-14页 |
| 第二章 功率 VDMOS 基础和仿真软件简介 | 第14-26页 |
| ·功率 VDMOS 的结构及工作原理 | 第14-17页 |
| ·功率 VDMOS 结构 | 第14-16页 |
| ·功率 VDMOS 工作原理 | 第16页 |
| ·功率 VDMOS 优点及应用 | 第16-17页 |
| ·功率 VDMOS 电特性 | 第17-20页 |
| ·功率 VDMOS 输出特性 | 第17-18页 |
| ·功率 VDMOS 转移特性 | 第18-20页 |
| ·功率 VDMOS 主要参数 | 第20-22页 |
| ·阈值电压 Vth | 第20-21页 |
| ·导通电阻 Ron | 第21页 |
| ·源漏击穿电压 BVDS | 第21-22页 |
| ·跨导 gm | 第22页 |
| ·饱和漏电流 Id | 第22页 |
| ·器件仿真基础和仿真软件 ISE 概述 | 第22-24页 |
| ·器件仿真基础 | 第22-23页 |
| ·器件基本模型简介 | 第23-24页 |
| ·本章小结 | 第24-26页 |
| 第三章 热循环实验及其可靠性分析 | 第26-44页 |
| ·实验方案 | 第26-29页 |
| ·试验方法 | 第26-28页 |
| ·实验分析 | 第28-29页 |
| ·功率 VDMOS 仿真分析 | 第29-36页 |
| ·模拟中采用的器件结构 | 第29-35页 |
| ·栅电极电荷和栅氧化层电荷在仿真中的影响 | 第35-36页 |
| ·栅悬空仿真及其机理分析 | 第36-42页 |
| ·等效电路分析 | 第36-38页 |
| ·悬栅条件下器件特性模拟仿真 | 第38-41页 |
| ·器件导通机理结论 | 第41-42页 |
| ·栅悬空器件特性在元器件质量可靠性评估中的应用 | 第42-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 NBTI 实验及其可靠性分析 | 第44-52页 |
| ·实验方案 | 第44-47页 |
| ·试验方法和数据 | 第44-46页 |
| ·实验分析 | 第46-47页 |
| ·NBTI 效应的退化表征和寿命评估 | 第47-51页 |
| ·温度对阈值电压漂移量的影响 | 第47-48页 |
| ·栅压对阈值电压漂移量的影响 | 第48-49页 |
| ·应力作用时间对阈值电压漂移量的影响 | 第49-50页 |
| ·阈值电压漂移模型 | 第50页 |
| ·模型公式验证 | 第50-51页 |
| ·表征 NBTI 寿命的阈值电压漂移量表达式 | 第51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第五章 结论与展望 | 第52-54页 |
| ·结论 | 第52页 |
| ·展望 | 第52-54页 |
| 致谢 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 研究成果 | 第60-61页 |
