| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| ·引言 | 第8页 |
| ·GaN材料的晶体结构与性质 | 第8-10页 |
| ·紫外光LED及其应用 | 第10-12页 |
| ·相关领域国内外技术现状及发展趋势 | 第12页 |
| ·国外技术现状 | 第12页 |
| ·国内技术现状 | 第12页 |
| ·本文研究内容 | 第12-14页 |
| 第二章 GaN基材料的外延生长及材料表征 | 第14-26页 |
| ·引言 | 第14页 |
| ·GaN基材料的外延生长 | 第14-18页 |
| ·外延生长中衬底材料的选择 | 第15页 |
| ·MOCVD异质外延GaN基材料 | 第15-17页 |
| ·GaN材料的掺杂 | 第17页 |
| ·MOCVD外延设备 | 第17-18页 |
| ·GaN基材料的缺陷及位错 | 第18-19页 |
| ·线位错 | 第18页 |
| ·层位错 | 第18-19页 |
| ·纳米管和微孔 | 第19页 |
| ·材料表征 | 第19-25页 |
| ·X射线衍射 | 第19-21页 |
| ·原子力显微镜 | 第21-22页 |
| ·静电释放 | 第22-23页 |
| ·电容电压测试 | 第23-24页 |
| ·光致发光 | 第24-25页 |
| ·电致发光 | 第25页 |
| ·本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 Cp2Mg流量对LED性能的影响研究 | 第26-34页 |
| ·引言 | 第26-27页 |
| ·实验参数 | 第27-28页 |
| ·实验数据及分析 | 第28-33页 |
| ·Cp_2Mg流量与外延片的（002）和（102）面的XRD摇摆曲线的关系 | 第28-29页 |
| ·Cp_2Mg流量与外延片的PL谱的关系 | 第29-30页 |
| ·Cp_2Mg流量与LED芯片的光电性能的关系 | 第30-33页 |
| ·Cp_2Mg流量优化工艺小结 | 第33-34页 |
| 第四章 电子阻挡层对LED光电性能的影响 | 第34-50页 |
| ·引言 | 第34-36页 |
| ·Ga面的Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结的极化效应 | 第36-37页 |
| ·实验1参数——EBL的结构优化 | 第37-39页 |
| ·实验结果及分析 | 第39-45页 |
| ·EBL结构与LED的光属性的关系 | 第39-41页 |
| ·EBL结构与LED的电属性的关系 | 第41页 |
| ·EBL结构与LED的ESD属性的关系 | 第41-43页 |
| ·EBL结构对后续材料结晶质量的影响 | 第43-45页 |
| ·EBL结构工艺改进小结 | 第45页 |
| ·实验2参数——MQB阱垒厚度优化 | 第45-46页 |
| ·垂直电导模型 | 第46-47页 |
| ·实验结果及分析 | 第47-48页 |
| ·MQB阱垒厚度优化小结 | 第48-50页 |
| 第五章 超晶格对LED性能的影响 | 第50-56页 |
| ·引言 | 第50-51页 |
| ·超晶格提高空穴浓度和载流子横向迁移率的原因 | 第51-52页 |
| ·实验参数 | 第52-55页 |
| ·实验1——p-SLs插入位置对LED性能的影响 | 第52-53页 |
| ·实验结果及分析 | 第53-54页 |
| ·实验2——p-SLs个数对LED性能的影响 | 第54页 |
| ·实验结果及分析 | 第54-55页 |
| ·实验小结 | 第55-56页 |
| 第六章 总结与展望 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 本人在攻读硕士学位期间的研究成果 | 第68-69页 |