| 作者简介 | 第1-4页 |
| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-23页 |
| ·课题背景及研究意义 | 第11-13页 |
| ·辐照效应研究现状和进展 | 第13-20页 |
| ·GaN 材料辐照效应研究进展 | 第13-17页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 器件辐照效应研究进展 | 第17-20页 |
| ·本论文研究内容及安排 | 第20-23页 |
| 第二章 GaN 材料和 HEMT 器件的基本辐照损伤机理 | 第23-45页 |
| ·辐射损伤机理 | 第23-27页 |
| ·辐射环境及计量单位 | 第23-24页 |
| ·辐照效应 | 第24-27页 |
| ·半导体器件抗辐照加固技术 | 第27页 |
| ·辐照损伤对 GaN 材料的影响 | 第27-31页 |
| ·GaN 中原生缺陷 | 第27-30页 |
| ·GaN 中基本辐照缺陷 | 第30-31页 |
| ·材料辐照损伤的谱学研究 | 第31-37页 |
| ·光致发光（PL） | 第31-32页 |
| ·拉曼光谱（Raman） | 第32-36页 |
| ·X 射线衍射（XRD） | 第36-37页 |
| ·辐照损伤对 AlGaN/GaN HEMT 器件特性的影响 | 第37-43页 |
| ·辐照对 AlGaN/GaN 异质结的影响 | 第37-39页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 器件机理 | 第39-42页 |
| ·辐照对 AlGaN/GaN HMET 器件的影响 | 第42-43页 |
| ·本章小结 | 第43-45页 |
| 第三章 AlGaN/GaN HEMT 器件的~(60)Co γ辐照总剂量效应研究 | 第45-59页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 器件 I-V 特性及直流参数退化 | 第46-50页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 器件交流特性及参数退化 | 第50-51页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 未钝化器件~(60)Co γ射线辐照总剂量效应 | 第51-53页 |
| ·理论分析 | 第53-56页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 器件表面态理论 | 第53-54页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 器件~(60)Co γ射线辐照总剂量效应理论分析 | 第54-56页 |
| ·本章小结 | 第56-59页 |
| 第四章 AlGaN/GaN HEMT 器件的质子辐照效应研究 | 第59-93页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结质子辐照效应研究 | 第59-67页 |
| ·质子辐照对 AlGaN/GaN 异质结材料电学性能的影响 | 第60-62页 |
| ·质子辐照对 AlGaN/GaN 异质结材料晶体质量的影响 | 第62-65页 |
| ·质子辐照对 AlGaN/GaN 异质结材料光学性能的影响 | 第65-66页 |
| ·结果分析 | 第66-67页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 器件的质子辐照性能退化 | 第67-74页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 器件 I-V 特性及参数退化 | 第67-71页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 器件交流特性及参数退化 | 第71-72页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 器件质子辐照损伤因子提取 | 第72-74页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 器件质子辐照效应仿真 | 第74-86页 |
| ·GaN 材料质子辐照 SRIM 仿真 | 第74-79页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结质子辐照 SRIM 仿真 | 第79-81页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 器件 Silvaco 仿真 | 第81-86页 |
| ·引入辐照受主缺陷的电荷控制模型研究 | 第86-89页 |
| ·质子辐照电荷控制模型 | 第86-87页 |
| ·计算结果及分析 | 第87-89页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 器件质子辐照效应分析 | 第89-91页 |
| ·本章小结 | 第91-93页 |
| 第五章 AlGaN/GaN HEMT 器件的中子辐照效应研究 | 第93-103页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结中子辐照效应研究 | 第93-99页 |
| ·中子辐照对 AlGaN/GaN 异质结材料表面形貌的影响 | 第93-94页 |
| ·中子辐照对 AlGaN/GaN 异质结材料电学性能的影响 | 第94-95页 |
| ·中子辐照对 AlGaN/GaN 异质结材料晶体质量的影响 | 第95-97页 |
| ·中子辐照对 AlGaN/GaN 异质结材料光学性能的影响 | 第97页 |
| ·结果分析 | 第97-99页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 器件的中子辐照性能退化 | 第99-102页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 器件 I-V 特性及参数退化 | 第99-100页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 器件交流特性及参数退化 | 第100页 |
| ·理论分析 | 第100-102页 |
| ·本章小结 | 第102-103页 |
| 第六章 HVPE GaN 材料辐照效应研究 | 第103-113页 |
| ·HVPE GaN 材料质子辐照效应研究 | 第103-108页 |
| ·质子辐照对 HVPE GaN 材料表面形貌的影响 | 第103-104页 |
| ·质子辐照对 HVPE GaN 材料晶体质量的影响 | 第104-107页 |
| ·质子辐照对 HVPE GaN 材料光学性能的影响 | 第107-108页 |
| ·HVPE GaN 材料中子辐照效应研究 | 第108-111页 |
| ·中子辐照对 HVPE GaN 材料晶体质量的影响 | 第108-110页 |
| ·中子辐照对 HVPE GaN 材料光学性能的影响 | 第110-111页 |
| ·本章小结 | 第111-113页 |
| 第七章 结束语 | 第113-117页 |
| 致谢 | 第117-119页 |
| 参考文献 | 第119-135页 |
| 攻读博士学位期间的研究成果 | 第135-137页 |
