应变Ge载流子迁移率散射机制及模型研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| ·研究背景与意义 | 第7-10页 |
| ·高迁移率材料的研究意义 | 第7-9页 |
| ·Ge 材料的优势和 Ge 器件的应用前景 | 第9-10页 |
| ·国内外研究现状 | 第10-13页 |
| ·论文研究内容以及章节安排 | 第13-15页 |
| 第二章 应变 Ge 空穴能带结构参数 | 第15-31页 |
| ·应变 Ge 形成机理 | 第15-19页 |
| ·锗的晶体结构 | 第15-16页 |
| ·应变 Ge 的形成 | 第16-18页 |
| ·应变 Ge 技术优点 | 第18-19页 |
| ·应变 Ge 能带结构 | 第19-25页 |
| ·Ge 与 Si 能带结构的异同点 | 第20-22页 |
| ·应变对 Ge 能带结构的影响 | 第22-25页 |
| ·应变 Ge 能带结构参数模型 | 第25-29页 |
| ·应变 Ge 价带状态密度 | 第25-26页 |
| ·应变 Ge 价带状态密度有效质量 | 第26-28页 |
| ·应变 Ge 迁移率 | 第28-29页 |
| ·本章小结 | 第29-31页 |
| 第三章 应变 Ge 载流子散射机制研究 | 第31-46页 |
| ·半导体的主要散射机制 | 第31-34页 |
| ·晶格散射 | 第32-33页 |
| ·电离散射 | 第33页 |
| ·其他散射机制 | 第33-34页 |
| ·应变 Ge 的散射机制 | 第34-44页 |
| ·费米黄金法则 | 第34-38页 |
| ·离化杂质散射 | 第38-40页 |
| ·晶格散射 | 第40-44页 |
| ·谷间声子散射 | 第44页 |
| ·本章小结 | 第44-46页 |
| 第四章 应变 Ge 空穴载流子散射模型及研究分析 | 第46-55页 |
| ·应变 Ge 空穴载流子散射模型 | 第46-48页 |
| ·离化杂质散射模型 | 第46-47页 |
| ·声学声子散射模型 | 第47页 |
| ·非极性光学声子散射模型 | 第47-48页 |
| ·应变 Ge 散射特性研究 | 第48-53页 |
| ·离化杂质散射特性 | 第48-49页 |
| ·声学声子散射特性 | 第49-50页 |
| ·非极性光学声子散射特性 | 第50-52页 |
| ·应变 Ge 总的散射特性 | 第52-53页 |
| ·本章小结 | 第53-55页 |
| 第五章 总结与期望 | 第55-57页 |
| ·总结 | 第55页 |
| ·期望 | 第55-57页 |
| 致谢 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-66页 |
