| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| ·研究背景与意义 | 第10-12页 |
| ·NBTI 效应的研究背景 | 第10-11页 |
| ·研究 VDMOS 器件 NBTI 效应的意义 | 第11-12页 |
| ·国内外研究现状 | 第12-14页 |
| ·本文的主要工作与结论 | 第14-16页 |
| 第二章 功率 VDMOS 器件的 NBTI 效应仿真 | 第16-32页 |
| ·功率 VDMOS 器件结构与工作原理 | 第16-17页 |
| ·VDMOS 器件元胞结构设计和模拟 | 第17-25页 |
| ·外延层掺杂浓度及厚度的确定 | 第17-19页 |
| ·VDMOS 器件掺杂和结构的最终确定及其特性曲线的仿真 | 第19-25页 |
| ·功率 VDMOS 器件的 NBTI 效应仿真 | 第25-31页 |
| ·R-D 模型及模拟方法 | 第25-26页 |
| ·温度对界面态的产生及阈值电压变化的影响 | 第26-28页 |
| ·沟道掺杂浓度对界面态产生和阈值电压变化的影响 | 第28-30页 |
| ·栅极偏置电压对界面态产生和阈值电压变化的影响 | 第30-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 功率 VDMOS 器件的 NBTI 实验研究 | 第32-52页 |
| ·实验器件及测试方案 | 第32-34页 |
| ·实验与测试 | 第32页 |
| ·应力测试方案 | 第32-34页 |
| ·器件静态参数的退化 | 第34-42页 |
| ·阈值电压随应力时间的退化 | 第35-37页 |
| ·饱和漏电流 Ids 随应力时间的退化 | 第37-39页 |
| ·击穿电压与导通电阻随应力时间的变化 | 第39页 |
| ·最大跨导随应力时间的退化 | 第39-40页 |
| ·各静态参数随应力时间变化趋势对比 | 第40-42页 |
| ·阈值电压退化与应力时间的关系 | 第42-46页 |
| ·同一温度不同栅压条件下阈值电压漂移量与应力时间的关系 | 第42-43页 |
| ·同一栅压不同温度条件下阈值电压漂移量与应力时间的关系 | 第43-45页 |
| ·阈值电压随应力时间退化趋势的对比验证 | 第45-46页 |
| ·阈值电压随应力时间退化的机理分析 | 第46-50页 |
| ·界面态与氧化层陷阱电荷对 NBTI 退化的影响 | 第47-48页 |
| ·C-V 验证与机理分析 | 第48-50页 |
| ·本章小结 | 第50-52页 |
| 第四章 NBTI 特性退化的主要影响因素分析 | 第52-58页 |
| ·正栅压退火或自恢复对 NBTI 退化的影响 | 第52-53页 |
| ·界面缺陷对 NBTI 效应的影响 | 第53-54页 |
| ·实验器件与测试方法 | 第53页 |
| ·界面缺陷对 NBTI 效应的影响 | 第53-54页 |
| ·工艺条件对 NBTI 退化的影响 | 第54-56页 |
| ·工艺温度对 NBTI 退化的作用 | 第54-55页 |
| ·栅氧化层中物质对 NBTI 退化的影响 | 第55-56页 |
| ·本章小结 | 第56-58页 |
| 第五章 结论与展望 | 第58-60页 |
| ·结论 | 第58页 |
| ·展望 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 研究成果 | 第66-67页 |
