| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-6页 |
| 第一章 绪论 | 第6-12页 |
| ·研究背景以及意义 | 第6-9页 |
| ·本论文的工作安排 | 第9-12页 |
| 第二章 高 K 栅介质 MIS 器件特性理论分析 | 第12-26页 |
| ·MIS 结构 C-V 特性经典理论分析 | 第12-17页 |
| ·氧化铪 MIS 器件的 C-V 特性量子理论修正 | 第17-23页 |
| ·量子束缚效应及电子浓度数值计算 | 第17-20页 |
| ·泊松方程的建立和计算 | 第20-22页 |
| ·算法流程 | 第22-23页 |
| ·氧化铪栅介质 MIS 器件 C-V 曲线的仿真结果与讨论 | 第23-24页 |
| ·本章小结 | 第24-26页 |
| 第三章 氧化铪栅介质 MIS 器件 C-V 特性与机理研究 | 第26-40页 |
| ·实验过程 | 第26-29页 |
| ·氧化铪栅介质中的电荷与能态及其对 C-V 特性的影响 | 第29-35页 |
| ·氧化物电荷对 MIS 器件电学特性的影响 | 第31-34页 |
| ·界面态对 MIS 器件电学特性的影响 | 第34-35页 |
| ·氧化铪栅介质 MIS 器件中缺陷的定量计算 | 第35-37页 |
| ·本章小结 | 第37-40页 |
| 第四章 氧化铪栅介质 MIS 器件辐照效应研究 | 第40-56页 |
| ·氧化铪栅介质电荷辐照诱生机理分析 | 第40-42页 |
| ·氧化铪 MIS 器件界面陷阱辐照诱生机理分析 | 第42-45页 |
| ·氧化铪 MIS 器件辐照效应实验与机理分析 | 第45-54页 |
| ·氧化物陷阱电荷和界面陷阱电荷 | 第46-48页 |
| ·界面态陷阱密度的分布 | 第48-52页 |
| ·样品的 X 射线能谱分析 | 第52-54页 |
| ·本章小结 | 第54-56页 |
| 第五章 总结与展望 | 第56-58页 |
| ·总结 | 第56-57页 |
| ·展望 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-66页 |
| 在读期间的研究成果 | 第66-67页 |
