| 作者简介 | 第1-4页 |
| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-28页 |
| ·太赫兹的研究意义 | 第10-11页 |
| ·太赫兹 GaN 基 NDR 二极管的优势以及相关理论 | 第11-25页 |
| ·GaN 基耿氏二极管器件设计以及存在的问题 | 第17-21页 |
| ·GaN 基共振隧穿二极管设计以及存在的问题 | 第21-24页 |
| ·GaN 外延层中抑制缺陷的方法 | 第24-25页 |
| ·本文的研究内容和安排 | 第25-28页 |
| 第二章 GaN 耿氏二极管 Notch 掺杂层结构生长研究 | 第28-42页 |
| ·Notch 掺杂层结构的应用背景 | 第28-30页 |
| ·材料内部掺杂浓度分布位错分布和应力分布表征手段 | 第30-31页 |
| ·二次离子质谱（SIMS） | 第30页 |
| ·透射电子显微镜（TEM） | 第30页 |
| ·高分辨率 X 射线衍射仪（HRXRD） | 第30-31页 |
| ·拉曼光谱（Raman） | 第31页 |
| ·Notch 掺杂层结构生长 | 第31-34页 |
| ·Notch 掺杂层对结构内部位错分布影响 | 第34-38页 |
| ·表面形貌与光学特性 | 第38-40页 |
| ·本章小结 | 第40-42页 |
| 第三章 GaN 耿氏二极管中点缺陷分析 | 第42-60页 |
| ·GaN 耿氏二极管中点缺陷研究意义 | 第42-43页 |
| ·点缺陷分布表征手段 | 第43页 |
| ·电容电压测试（C-V） | 第43页 |
| ·光致发光谱（PL） | 第43页 |
| ·C-V 四元件模型介绍 | 第43-49页 |
| ·PL 谱分析 | 第49-52页 |
| ·GaN 耿氏二极管中点缺陷分布以及退火对点缺陷作用 | 第52-58页 |
| ·本章小结 | 第58-60页 |
| 第四章 GaN 耿氏二极管 AlGaN 热电子注射层结构生长研究 | 第60-86页 |
| ·AlGaN 热电子注射层结构的应用背景 | 第60-62页 |
| ·Ga 面 AlGaN 热电子注射层结构生长与分析 | 第62-72页 |
| ·Ga 面结构生长 | 第62-63页 |
| ·Ga 面结构测试与分析 | 第63-72页 |
| ·N 面 AlGaN 热电子注射层结构生长与分析 | 第72-84页 |
| ·N 面结构介绍以及外延生长 | 第72-76页 |
| ·N 面结构测试与分析 | 第76-84页 |
| ·本章小结 | 第84-86页 |
| 第五章 InAlN/GaN 异质界面处缺陷研究 | 第86-100页 |
| ·InAlN/GaN 异质界面的研究意义 | 第86-87页 |
| ·InAlN/GaN 异质界面生长与优化 | 第87-90页 |
| ·InAlN/GaN 异质界面对内部位错分布影响 | 第90-95页 |
| ·InAlN 层对应力分布以及表面形貌影响 | 第95-98页 |
| ·本章小结 | 第98-100页 |
| 第六章 结束语 | 第100-104页 |
| 致谢 | 第104-106页 |
| 参考文献 | 第106-122页 |
| 攻读博士学位期间的研究成果 | 第122-124页 |
