| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| ·研究背景和意义 | 第7-9页 |
| ·应变锗技术发展的现状 | 第9-13页 |
| ·单、双轴应变锗的比较 | 第9-10页 |
| ·国内外研究进展 | 第10-13页 |
| ·本论文文的主要工作内容 | 第13-15页 |
| 第二章 应变 Ge 的能带结构理论基础 | 第15-33页 |
| ·应力引入技术概述 | 第16-21页 |
| ·全局应变技术 | 第17-18页 |
| ·局部应变技术 | 第18-21页 |
| ·应变 Ge 的能带结构基础理论 | 第21-32页 |
| ·硅和锗的晶体结构 | 第21-24页 |
| ·对称性与应变 | 第24-27页 |
| ·应变对能带的影响 | 第27-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 Si 基应变能带结构计算的 KP 微扰理论和形变势理论 | 第33-45页 |
| ·微扰理论 | 第33-38页 |
| ·非简并定态微扰理论 | 第34-36页 |
| ·简并情况下的微扰理论 | 第36-38页 |
| ·kp 理论 | 第38-39页 |
| ·变分法 | 第39-42页 |
| ·薛定谔方程的变分原理 | 第39-41页 |
| ·变分法 | 第41-42页 |
| ·形变势理论 | 第42-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 应变 Ge 的应变张量模型及导带能级的计算与分析 | 第45-65页 |
| ·应变张量的定义 | 第45-47页 |
| ·应力的定义 | 第47-50页 |
| ·锗中应力与应变之间的关系 | 第50-51页 |
| ·应变 Ge 的应变张量模型 | 第51-58页 |
| ·单轴应变 Ge 应变张量模型的建立 | 第51-56页 |
| ·双轴应变锗应变张量模型的建立 | 第56-58页 |
| ·单与双轴应变 Ge 的导带结构计算与分析 | 第58-63页 |
| ·单轴应力作用下应变锗的能带结构 | 第59-61页 |
| ·双轴应变 Ge 的导带能带结构 | 第61-63页 |
| ·本章小结 | 第63-65页 |
| 第五章 总结 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-75页 |
| 攻读硕士研究生期间的研究成果 | 第75-76页 |