| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| ·立方体 GaN 简介 | 第9-11页 |
| ·纤锌矿 GaN 的不足与闪锌矿 GaN 研究的必要性 | 第11-13页 |
| ·量子限制斯塔克效应 | 第11-12页 |
| ·纤锌矿结构价带能级劈裂 | 第12页 |
| ·难以制造增强型器件 | 第12-13页 |
| ·闪锌矿结构 GaN 材料生长工艺简介 | 第13-14页 |
| ·立方体 GaN 材料及其异质结研究的背景 | 第14-15页 |
| ·本文的主要内容与安排 | 第15-17页 |
| 第二章 GaN 材料及其异质结和器件研究相关基础 | 第17-21页 |
| ·异质结的形成与二维电子气 | 第17-18页 |
| ·增强型 AlGaN/GaN HEMT 的基础理论 | 第18-20页 |
| 本章小结 | 第20-21页 |
| 第三章 蒙卡方法对体结构立方体 GaN 速场关系的研究 | 第21-33页 |
| ·蒙特卡罗方法简介 | 第21-22页 |
| ·蒙特卡罗方法在半导体研究中的应用 | 第22-23页 |
| ·模型描述 | 第23-28页 |
| ·运用蒙特卡罗方法对闪锌矿 GaN 体材料研究的参数 | 第28-29页 |
| ·模拟结果分析 | 第29-32页 |
| 本章小结 | 第32-33页 |
| 第四章 立方体 GaN 基异质结 2DEG 的迁移率模型 | 第33-53页 |
| ·2DEG 面密度 | 第33-34页 |
| ·输运特性动量弛豫散射模型的建立 | 第34-38页 |
| ·晶格震动 | 第35-36页 |
| ·电离杂质散射 | 第36页 |
| ·表面粗糙度散射 | 第36-37页 |
| ·合金无序散射 | 第37页 |
| ·位错散射 | 第37-38页 |
| ·面密度计算及迁移率模型正确性的验证 | 第38-41页 |
| ·结构参数与温度对闪锌矿 AlGaN/GaN 异质结 2DEG 迁移率的影响 | 第41-51页 |
| ·2DEG 迁移率随 2DEG 面密度的变化 | 第41-43页 |
| ·温度 T 对迁移率的影响 | 第43-45页 |
| ·势垒层的厚度对迁移率的影响 | 第45-47页 |
| ·势垒层 Al 含量对迁移率的影响 | 第47-49页 |
| ·势垒层中的掺杂浓度对迁移率的影响 | 第49-51页 |
| 本章小结 | 第51-53页 |
| 第五章 闪锌矿 GaN 基 HEMT 的基本模型和器件特性 | 第53-59页 |
| ·器件仿真的软件平台 | 第53-54页 |
| ·器件基本模型 | 第54-55页 |
| ·杂质掺杂浓度对二维电子气浓度影响 | 第55-56页 |
| ·闪锌矿 AlGaN/GaN 异质结 HEMT 的转移特性 | 第56-57页 |
| 本章小结 | 第57-59页 |
| 第六章 总结与展望 | 第59-61页 |
| 致谢 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 研究生阶段研究成果 | 第67-68页 |
