| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-19页 |
| ·GaN 基材料与其 HEMT 器件研究进展 | 第11-15页 |
| ·GaN 基材料的特性与优势 | 第11-13页 |
| ·GaN 异质结与 HEMTs 器件研究进展 | 第13-15页 |
| ·AlGaN 材料及 AlGaN 沟道 HEMTs 器件的研究进展 | 第15-18页 |
| ·AlGaN 材料的生长及其研究发展 | 第15-16页 |
| ·AlGaN 沟道异质结及其 HEMT 器件的发展及研究现状 | 第16-18页 |
| ·本文主要工作与各章节内容安排 | 第18-19页 |
| 第二章 GaN 基异质结理论基础及实验表征方法 | 第19-27页 |
| ·GaN 基异质结理论基础 | 第19-23页 |
| ·GaN 基异质结形成物理基础 | 第19-20页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结的极化效应 | 第20-23页 |
| ·半导体材料生长及表征 | 第23-26页 |
| ·材料生长 | 第23-24页 |
| ·高分辨率 X 射线 (HRXRD) | 第24-25页 |
| ·光致发光谱(PL) | 第25页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第25-26页 |
| ·电学性质测量（霍尔效应测试与电容-电压测试） | 第26页 |
| ·本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 AlGaN 沟道异质结材料生长与特性研究 | 第27-45页 |
| ·基于组分缓变 AlGaN 缓冲层的 AlGaN 沟道材料生长 | 第27-31页 |
| ·基于组分缓变 AlGaN 缓冲层的 AlGaN 沟道材料生长 | 第27-28页 |
| ·两种样品的表面形貌与结晶质量 | 第28-30页 |
| ·两种样品的电学特性分析 | 第30-31页 |
| ·Al_(0.65)Ga_(0.35)N/Al_(0.40)Ga_(0.60)N 异质结材料的直接生长研究 | 第31-34页 |
| ·Al_(0.65)Ga_(0.35)N/Al_(0.40)Ga_(0.60)N异质结材料设计与生长 | 第31-32页 |
| ·样品的表面形貌与结晶分析 | 第32-33页 |
| ·样品的电学特性测试 | 第33-34页 |
| ·基于突变 AlGaN 缓冲层生长的 AlGaN 沟道异质结 | 第34-43页 |
| ·沟道 Al 组分为 18%的异质结材料生长与表征 | 第35-38页 |
| ·沟道 Al 组分为 40%异质结材料的生长与表征 | 第38-43页 |
| ·本章小结 | 第43-45页 |
| 第四章 AlGaN 沟道异质结器件特性研究 | 第45-59页 |
| ·AlGaN 沟道异质结 HEMTs 器件的制备 | 第45-47页 |
| ·常规 HEMTs 器件制备关键工艺技术 | 第45-46页 |
| ·AlGaN 沟道异质结构 HEMT 器件的制造 | 第46-47页 |
| ·AlGaN 沟道 HEMTs 器件欧姆接触与栅肖特基特性 | 第47-51页 |
| ·AlGaN 沟道异质结 HEMT 的方块电阻与欧姆接触 | 第47-50页 |
| ·AlGaN 沟道异质结 HEMT 的栅肖特基特性 | 第50-51页 |
| ·AlGaN 沟道异质结 HEMT 器件的直流特性 | 第51-53页 |
| ·器件的输出与转移特性 | 第51-52页 |
| ·AlGaN 沟道异质结 HEMT 器件的 DIBL 效应 | 第52-53页 |
| ·AlGaN 沟道 HEMT 器件的击穿特性 | 第53-57页 |
| ·HEMT 器件的击穿机制 | 第53-54页 |
| ·AlGaN 沟道器件击穿特性 | 第54-57页 |
| ·本章小结 | 第57-59页 |
| 第五章 结束语 | 第59-63页 |
| 致谢 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-73页 |
| 攻读硕士期间的研究成果及获奖情况 | 第73-75页 |
