PIN二极管的高功率微波毁伤机理研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 目录 | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·背景及意义 | 第7-9页 |
| ·国内外研究成果与现状 | 第9-11页 |
| ·论文主要研究工作及章节安排 | 第11-13页 |
| 第二章 半导体器件 HPM 效应机理分析 | 第13-25页 |
| ·HPM 效应主要研究方法 | 第13-17页 |
| ·HPM 实验研究 | 第13-17页 |
| ·HPM 数值模拟研究 | 第17页 |
| ·器件的 HPM 损伤机理 | 第17-21页 |
| ·二次击穿 | 第18-20页 |
| ·负阻效应 | 第20-21页 |
| ·典型半导体器件失效 | 第21-23页 |
| ·结型半导体器件 | 第21-23页 |
| ·金属氧化物半导体器件 | 第23页 |
| ·本章总结 | 第23-25页 |
| 第三章 PIN 器件模型建立与分析 | 第25-43页 |
| ·PIN 限幅器的工作原理与主要影响参数 | 第25-34页 |
| ·PIN 限幅器电路 | 第25-27页 |
| ·PIN 二极管基本工作原理 | 第27-34页 |
| ·工艺及器件仿真工具 ISE-TCAD | 第34-36页 |
| ·器件模型构建与参数的选取 | 第36-42页 |
| ·器件模型 | 第36-37页 |
| ·器件模型参数选取 | 第37-40页 |
| ·电热模型 | 第40-41页 |
| ·器件直流特性验证 | 第41-42页 |
| ·本章总结 | 第42-43页 |
| 第四章 PIN 二极管的 HPM 瞬态响应 | 第43-63页 |
| ·阶跃脉冲下的瞬态响应 | 第43-52页 |
| ·电流密度随时间变化情况 | 第44-47页 |
| ·电场强度随时间变化关系 | 第47-49页 |
| ·温度分布随时间变化情况 | 第49-52页 |
| ·重复脉冲下的瞬态响应 | 第52-61页 |
| ·方波重复脉冲下 PIN 的瞬态响应 | 第53-56页 |
| ·微波脉冲下 PIN 的瞬态响应 | 第56-61页 |
| ·本章总结 | 第61-63页 |
| 第五章 PIN 二极管的损伤阈值分析 | 第63-72页 |
| ·温度、功率和能量的脉宽效应规律 | 第63-66页 |
| ·仿真结果与分析 | 第66-71页 |
| ·阶跃脉冲下损伤功率阈值与脉冲时间的关系 | 第67-69页 |
| ·微波信号下损伤功率阈值与脉冲时间的关系 | 第69-70页 |
| ·损伤能量和脉宽之间的关系 | 第70-71页 |
| ·本章总结 | 第71-72页 |
| 第六章 结论与展望 | 第72-75页 |
| ·总结 | 第72-73页 |
| ·展望 | 第73-75页 |
| 致谢 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-86页 |
