| 作者简介 | 第1-4页 |
| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 目录 | 第9-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-28页 |
| ·研究背景和意义 | 第12-14页 |
| ·EMP 效应研究动态和发展趋势 | 第14-25页 |
| ·EMP 注入实验研究进展 | 第14-19页 |
| ·EMP 辐照实验研究进展 | 第19-24页 |
| ·EMP 效应理论研究进展 | 第24-25页 |
| ·论文的主要研究内容与结构安排 | 第25-28页 |
| 第二章 电子系统的电磁脉冲效应与机理 | 第28-50页 |
| ·几种常见的电磁脉冲 | 第28-35页 |
| ·核电磁脉冲 | 第28-32页 |
| ·超宽带电磁脉冲 | 第32-34页 |
| ·高功率微波 | 第34-35页 |
| ·电子系统的电磁脉冲效应分类 | 第35-37页 |
| ·根据效应产生的物理机制分类 | 第35-36页 |
| ·根据效应的持续时间分类 | 第36-37页 |
| ·根据效应对系统的危害程度分类 | 第37页 |
| ·半导体器件和集成电路的 EMP 失效模式和失效机理 | 第37-49页 |
| ·金属化烧毁 | 第38-39页 |
| ·二次击穿 | 第39-47页 |
| ·氧化层和介质击穿 | 第47-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 第三章 二极管的损伤效应与机理 | 第50-70页 |
| ·ISE-TCAD 简介 | 第50-51页 |
| ·二极管仿真模型 | 第51-61页 |
| ·结构模型 | 第51-52页 |
| ·数值计算模型 | 第52-61页 |
| ·EMP 作用下二极管的损伤 | 第61-67页 |
| ·仿真电路 | 第61页 |
| ·二极管的瞬态响应特性 | 第61-62页 |
| ·电场强度分布随时间的变化 | 第62-63页 |
| ·电流密度分布随时间的变化 | 第63-65页 |
| ·温度分布随时间的变化 | 第65页 |
| ·影响二极管烧毁的因素 | 第65-67页 |
| ·二极管损伤阈值 | 第67-69页 |
| ·本章小结 | 第69-70页 |
| 第四章 PIN 限幅二极管的损伤效应与机理 | 第70-86页 |
| ·PIN 限幅二极管建模 | 第70-74页 |
| ·限幅器的作用及性能指标 | 第70-71页 |
| ·PIN 限幅器工作原理 | 第71-73页 |
| ·PIN 限幅二极管模型 | 第73-74页 |
| ·EMP 作用下 PIN 二极管的损伤 | 第74-84页 |
| ·电流丝形成 | 第74-76页 |
| ·电流丝运动 | 第76-79页 |
| ·电流丝跳跃 | 第79-81页 |
| ·电流丝钉扎与 PIN 二极管烧毁 | 第81-83页 |
| ·损伤功率和能量阈值 | 第83-84页 |
| ·本章小结 | 第84-86页 |
| 第五章 低噪声放大器的损伤效应与机理 | 第86-110页 |
| ·EMP 作用下 BJT 的损伤 | 第86-93页 |
| ·BJT 仿真模型 | 第86-87页 |
| ·仿真电路 | 第87-88页 |
| ·低幅度电压脉冲作用下 BJT 的烧毁 | 第88-90页 |
| ·高幅度电压脉冲作用下 BJT 的烧毁 | 第90-91页 |
| ·损伤能量与脉冲幅度的关系 | 第91-93页 |
| ·与实验结果的对比 | 第93页 |
| ·LNA 的高功率微波效应实验 | 第93-100页 |
| ·LNA 原理电路 | 第94页 |
| ·高功率电磁脉冲源 | 第94-95页 |
| ·实验方案 | 第95页 |
| ·实验平台 | 第95-96页 |
| ·实验步骤 | 第96页 |
| ·实验结果与分析 | 第96-100页 |
| ·LNA 退化及损伤机理 | 第100-107页 |
| ·失效样品描述 | 第100-101页 |
| ·电性能测试 | 第101-103页 |
| ·开封检测 | 第103-107页 |
| ·本章小结 | 第107-110页 |
| 第六章 总结与展望 | 第110-112页 |
| ·全文总结 | 第110-111页 |
| ·工作展望 | 第111-112页 |
| 致谢 | 第112-114页 |
| 参考文献 | 第114-128页 |
| 攻读博士学位期间的研究成果 | 第128-131页 |
| 学术论文 | 第128-130页 |
| 参加研究的科研项目 | 第130-131页 |