| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| ·InN 的基本性质 | 第11-16页 |
| ·结构性质 | 第11-13页 |
| ·电学特性 | 第13-15页 |
| ·光学特性 | 第15-16页 |
| ·InN 材料的研究进展 | 第16-18页 |
| ·InN 的应用前景 | 第18-19页 |
| ·论文架构 | 第19-21页 |
| 第二章 MOCVD 生长工艺及材料表征手段 | 第21-29页 |
| ·MOCVD 生长系统介绍 | 第21-24页 |
| ·MOCVD 生长系统的主要特点 | 第21-22页 |
| ·MOCVD 技术的生长机理[66] | 第22-23页 |
| ·MOCVD 生长 GaN 薄膜的工艺流程[66] | 第23-24页 |
| ·材料表征简介 | 第24-28页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第24-25页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第25-26页 |
| ·高分辨 X 射线衍射仪(HRXRD) | 第26-27页 |
| ·拉曼散射[70,71] | 第27-28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 InN 材料的生长研究 | 第29-45页 |
| ·材料外延生长的基本原理 | 第29-30页 |
| ·InN 外延层生长工艺研究 | 第30-42页 |
| ·InN 材料生长的困难 | 第30-31页 |
| ·实验过程 | 第31-33页 |
| ·InN 成核层的特性分析 | 第33-39页 |
| ·InN 外延层的特性分析 | 第39-42页 |
| ·本章小结 | 第42-45页 |
| 第四章 InN 材料的退火研究 | 第45-53页 |
| ·引言 | 第45页 |
| ·InN 材料的稳定性研究 | 第45-48页 |
| ·实验设计 | 第45-46页 |
| ·GaN 缓冲层/Sapphire 衬底上 InN 成核层的稳定性分析 | 第46-48页 |
| ·退火对 InN 结构特性的影响 | 第48-51页 |
| ·本章小结 | 第51-53页 |
| 第五章 总结与展望 | 第53-55页 |
| 致谢 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-63页 |
| 攻读硕士期间的研究成果及获奖情况 | 第63-64页 |