| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| ·氮化物材料的研究背景与意义 | 第9-10页 |
| ·氮化物异质结材料及其 HEMT 器件的研究进展 | 第10-12页 |
| ·氮化物双异质结构材料及 HEMT 器件的研究进展 | 第12-14页 |
| ·本课题组氮化物双异质结构材料和 HEMTs 器件的研究进展 | 第14-16页 |
| ·本文主要工作及安排 | 第16-19页 |
| 第二章 氮化物双异质结的理论基础及仿真分析 | 第19-31页 |
| ·氮化物异质结的 2DEG 理论 | 第19-23页 |
| ·氮化物异质结的能带理论 | 第19-20页 |
| ·氮化物异质结的极化理论 | 第20-23页 |
| ·常见的氮化物双异质结及其特点 | 第23-29页 |
| ·AlGaN/GaN/AlGaN/GaN 双异质结构 | 第24页 |
| ·AlGaN/GaN/AlGaN 双异质结构 | 第24-26页 |
| ·AlGaN/GaN/InGaN/GaN 双异质结构 | 第26页 |
| ·AlGaN/InGaN/GaN 双异质结构 | 第26-27页 |
| ·In0.17Al0.83N/GaN/Al0.07Ga0.93N/GaN 双异质结构 | 第27-28页 |
| ·AlGaN/AlGaN/AlGaN 双异质结构 | 第28-29页 |
| ·六种双异质结构材料优缺点的比较 | 第29页 |
| ·总结 | 第29-31页 |
| 第三章 AlGaN/(Al)GaN/AlGaN/GaN双异质结材料特性 | 第31-47页 |
| ·沟道层厚度对 AlGaN/GaN/AlGaN/GaN 双异质结的影响 | 第31-38页 |
| ·AlGaN/GaN/AlGaN/GaN 双异质结材料随沟道层厚度变化的仿真研究 | 第31-32页 |
| ·不同沟道层厚度 AlGaN/GaN/AlGaN/GaN 双异质结材料的生长 | 第32-33页 |
| ·沟道层厚度对 AlGaN/GaN/AlGaN/GaN 双异质结表面形貌与结晶质量的影响 | 第33-36页 |
| ·样品电学特性表征及对比 | 第36-37页 |
| ·样品的变温电学特性测试 | 第37-38页 |
| ·变温输运特性的理论分析 | 第38-42页 |
| ·AlGaN/GaN 中 2DEG 的各种散射机制的建模 | 第38-40页 |
| ·迁移率计算 | 第40-41页 |
| ·沟道厚度对双异质结材料变温输运特性的影响分析 | 第41-42页 |
| ·AlGaN 沟道双异质结材料的变温电学性能研究 | 第42-46页 |
| ·双异质结的设计仿真和材料生长 | 第42-44页 |
| ·基本电学特性分析 | 第44页 |
| ·变温电学特性分析 | 第44-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章 晶格匹配InAlN双异质结材料研究 | 第47-59页 |
| ·InAlN 材料特性以及 InAlN/GaN 异质结材料的研究进展 | 第47-50页 |
| ·InAlN 材料的特性 | 第47-48页 |
| ·InAlN/GaN 异质结材料的研究进展 | 第48-50页 |
| ·InAlN/GaN/(AlGaN)/GaN 异质结材料的仿真分析 | 第50-51页 |
| ·InAlN/GaN/(AlGaN)/GaN 异质结材料的生长与表征 | 第51-57页 |
| ·InAlN/GaN/(AlGaN)/GaN 异质结材料的生长 | 第51-52页 |
| ·InAlN/GaN/(AlGaN)/GaN 异质结材料表面形貌和结晶质量分析 | 第52-54页 |
| ·InAlN/GaN/(AlGaN)/GaN 异质结材料的电学特性分析 | 第54-57页 |
| ·本章小结 | 第57-59页 |
| 第五章 结束语 | 第59-61页 |
| 致谢 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-69页 |
| 攻读硕士期间研究成果 | 第69-70页 |
