半导体分立器件在不同温度条件下的可靠性研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-13页 |
| ·课题背景及意义 | 第9-10页 |
| ·课题研究现状 | 第10-11页 |
| ·课题来源与主要内容 | 第11-13页 |
| 第二章 VDMOS 管和双极晶体管简介 | 第13-19页 |
| ·VDMOS 的结构和工作机理 | 第13-15页 |
| ·VDMOS 主要的特性参数 | 第15-17页 |
| ·转移特性和输出特性 | 第15页 |
| ·主要参数 | 第15-17页 |
| ·VDMOS 器件和双极型器件的特点比较 | 第17页 |
| ·本章小结 | 第17-19页 |
| 第三章 半导体分立器件低温可靠性实验研究 | 第19-41页 |
| ·引言 | 第19页 |
| ·实验样品 | 第19-22页 |
| ·功率 VDMOS 器件 | 第19-21页 |
| ·双极型晶体管 | 第21-22页 |
| ·实验设备及方案 | 第22-26页 |
| ·实验设备 | 第22-24页 |
| ·实验方案 | 第24-26页 |
| ·实验内容 | 第24-25页 |
| ·失效标准 | 第25页 |
| ·实验流程 | 第25-26页 |
| ·VDMOS 低温实验结果及分析 | 第26-38页 |
| ·阈值电压 Vth随温度的漂移 | 第26-28页 |
| ·击穿电压 BVDSS随温度的漂移 | 第28-30页 |
| ·击穿蠕变 | 第30-31页 |
| ·导通电阻 Ron随温度的漂移 | 第31-34页 |
| ·转移曲线和输出曲线 | 第34-36页 |
| ·动态参数表征 | 第36-37页 |
| ·正向偏置安全工作区 | 第37-38页 |
| ·双极型晶体管实验结果与分析 | 第38-40页 |
| ·3DG120D 实验结果 | 第38-39页 |
| ·NECD882P 实验结果 | 第39-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 VDMOS 器件 NBTI 效应实验研究 | 第41-65页 |
| ·引言 | 第41页 |
| ·前期实验和结果分析 | 第41-47页 |
| ·NBTI 实验样品 | 第47页 |
| ·NBTI 实验平台搭建及方案设计 | 第47-52页 |
| ·实验设备 | 第48页 |
| ·实验方案设计 | 第48-52页 |
| ·NBTI 实验结果及分析 | 第52-64页 |
| ·阈值电压的温度特性 | 第52-53页 |
| ·NBT 应力作用下阈值电压退化特性 | 第53-58页 |
| ·NBT 应力作用后 C-V 表征 | 第58-64页 |
| ·VDMOS 的电容模型 | 第58-59页 |
| ·C-V 表征原理 | 第59-62页 |
| ·C-V 表征实验及分析 | 第62-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 第五章 总结与展望 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 研究成果 | 第73-74页 |
