| 作者简介 | 第1-4页 |
| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| ·NBTI 效应的研究背景及意义 | 第11-13页 |
| ·NBTI 效应的研究进展和现状 | 第13-17页 |
| ·本文的研究内容和安排 | 第17-21页 |
| 第二章 NBTI 效应的构成和产生机制 | 第21-37页 |
| ·构成 NBTI 退化的各类缺陷 | 第21-26页 |
| ·界面陷阱 | 第21-24页 |
| ·氧化层陷阱 E’中心和 K 中心 | 第24-25页 |
| ·K 中心 | 第25-26页 |
| ·构成 NBTI 退化的两部分——Nit和 Not | 第26-32页 |
| ·Nit的产生机制 | 第27-30页 |
| ·Not俘获机制 | 第30-32页 |
| ·不同机制的 NBTI 模型 | 第32-36页 |
| ·基于 RD 理论的模型 | 第32-34页 |
| ·Tsetseris Model | 第34页 |
| ·基于界面陷阱和氧化层陷阱电荷产生的分立/耦合模型 | 第34-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 MOSFET 器件 NBTI 效应的仿真研究 | 第37-57页 |
| ·R-D 模型推导 | 第37-41页 |
| ·R-D 框架和特征 | 第37-40页 |
| ·R-D 框架下 NBTI 的恢复 | 第40-41页 |
| ·静态 NBTI 效应的仿真研究 | 第41-51页 |
| ·仿真采用的 R-D 模型公式 | 第42页 |
| ·不同应力条件下界面陷阱的产生分析 | 第42-48页 |
| ·器件工艺条件变量的影响 | 第48-51页 |
| ·动态 NBTI 仿真分析 | 第51-56页 |
| ·周期交替应力下 NBTI 退化 | 第51-54页 |
| ·测量延迟情况下的 NBTI 退化 | 第54-55页 |
| ·AC 应力下的 NBTI 退化 | 第55-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 第四章 MOSFET 的 NBTI 建模及应用 | 第57-77页 |
| ·基于实验的 NBTI 退化经验模型 | 第57-62页 |
| ·MOSFET 的 NBTI 电场模型 | 第57-59页 |
| ·MOSFET 的 NBTI 温度模型 | 第59-60页 |
| ·MOSFET 的 NBTI 的栅宽长模型 | 第60-62页 |
| ·MOSFET 的 NBTI 经验模型的局限 | 第62页 |
| ·NBTI 新模型公式的建立 | 第62-66页 |
| ·NBTI 建模基础 | 第63-65页 |
| ·NBTI 模型公式 | 第65-66页 |
| ·NBTI 仿真平台建立 | 第66-71页 |
| ·NBTI 模型的参数提取流程 | 第66-69页 |
| ·NBTI 可靠性仿真平台 | 第69-70页 |
| ·NBTI 可靠性仿真过程及示例 | 第70-71页 |
| ·NBTI 仿真模型验证和应用 | 第71-75页 |
| ·NBTI 模型验证——MOSFET 器件 | 第71-73页 |
| ·NBTI 仿真应用——RO | 第73-75页 |
| ·本章小结 | 第75-77页 |
| 第五章 功率 MOSFET 的 NBTI 效应 | 第77-93页 |
| ·MOS 结构的功率器件 | 第77-80页 |
| ·功率 MOSFET 的 NBTI 现象及产生机制 | 第80-82页 |
| ·功率 MOSFET 的 NBTI 现象 | 第80-81页 |
| ·功率 MOSFET 的 NBTI 产生机制 | 第81-82页 |
| ·功率 MOSFET 的 NBTI 实验设置和仿真模型 | 第82-84页 |
| ·NBTI 实验设置 | 第82-83页 |
| ·基于 R-D 理论的仿真模型 | 第83-84页 |
| ·功率 MOSFET 的 NBTI 实验结果和仿真分析 | 第84-91页 |
| ·NBTI 实验现象及分析 | 第84-86页 |
| ·平台阶段的仿真分析 | 第86-88页 |
| ·应力条件对平台阶段的影响 | 第88-91页 |
| ·本章小结 | 第91-93页 |
| 第六章 NBTI 效应的陷阱俘获和耦合模型 | 第93-107页 |
| ·R-D 的局限与 TSM 模型 | 第93-97页 |
| ·R-D 的局限 | 第93-94页 |
| ·实验发现与可切换陷阱 | 第94-95页 |
| ·TSM 模型 | 第95-97页 |
| ·S-device 仿真 | 第97-105页 |
| ·S-device 仿真 TSM 介绍及设置 | 第97-99页 |
| ·缺陷状态占据几率的仿真研究 | 第99-102页 |
| ·阈值电压退化的仿真研究 | 第102-105页 |
| ·TSM 模型的局限 | 第105页 |
| ·本章小结 | 第105-107页 |
| 第七章 结束语 | 第107-109页 |
| 致谢 | 第109-111页 |
| 参考文献 | 第111-133页 |
| 攻读博士学位期间的研究成果 | 第133-136页 |
