| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·论文的背景及研究意义 | 第7-8页 |
| ·国内外研究情况 | 第8-9页 |
| ·论文的主要工作与结构安排 | 第9-11页 |
| 第二章 半导体器件在电磁脉冲作用下的失效机理 | 第11-19页 |
| ·电磁脉冲对电子设备的作用机理分析 | 第11-15页 |
| ·电磁脉冲破坏电子元器件的途径 | 第11-12页 |
| ·电子设备受电磁脉冲干扰的物理基础 | 第12-13页 |
| ·半导体器件在电磁脉冲下的损伤机理 | 第13-15页 |
| ·金属氧化物半导体器件的失效机理分析 | 第15页 |
| ·电磁脉冲的防护方法 | 第15-16页 |
| ·本章小结 | 第16-19页 |
| 第三章 电磁脉冲作用下 MOSFET 的电热模型和仿真 | 第19-35页 |
| ·MOSFET 器件基本结构及工作原理 | 第19-21页 |
| ·MOSFET 的结构 | 第19-20页 |
| ·MOSFET 的工作原理及特性曲线 | 第20-21页 |
| ·半导体器件的基本电学和热学方程 | 第21-23页 |
| ·泊松方程 | 第21页 |
| ·电流密度方程 | 第21-22页 |
| ·电流连续性方程 | 第22页 |
| ·热传导方程 | 第22-23页 |
| ·半导体器件的基本参数 | 第23-25页 |
| ·迁移率和扩散系数 | 第23-24页 |
| ·产生率和复合率 | 第24-25页 |
| ·方程参数的归一化 | 第25-27页 |
| ·边界条件 | 第27-29页 |
| ·电磁脉冲作用下 MOSFET 的电热响应 | 第29-32页 |
| ·本章小结 | 第32-35页 |
| 第四章 基于有限元的 MOSFET 热模型的建立与仿真 | 第35-57页 |
| ·有限元法的基本原理 | 第35-41页 |
| ·边值问题 | 第35-36页 |
| ·里兹方法 | 第36-37页 |
| ·伽辽金方法 | 第37-38页 |
| ·有限元方法的基本步骤 | 第38-41页 |
| ·MOSFET 的有限元热特性 | 第41-42页 |
| ·热源的产生 | 第41页 |
| ·二维热场的有限元方程 | 第41-42页 |
| ·ANSYS 软件简介 | 第42-43页 |
| ·单脉冲作用下 MOSFET 的热效应 | 第43-53页 |
| ·恒定功率脉冲下 MOSFET 的热效应 | 第43-49页 |
| ·不同功率脉冲作用下 MOSFET 的热效应 | 第49-51页 |
| ·不同脉宽下 MOSFET 的热效应 | 第51-53页 |
| ·热损伤时间与脉冲功率的关系 | 第53-54页 |
| ·三角函数功率脉冲下 MOSFET 的热效应 | 第54-55页 |
| ·小结 | 第55-57页 |
| 第五章 重复脉冲作用下 MOSFET 的热积累效应 | 第57-65页 |
| ·重复脉冲作用下 MOSFET 的热效应 | 第57-62页 |
| ·重复脉冲下 MOSFET 的热积累效应 | 第57-58页 |
| ·脉冲周期对器件温度的影响 | 第58-61页 |
| ·重复脉冲的功率与温度的关系 | 第61-62页 |
| ·周期三角函数功率信号作用下 MOSFET 的热效应 | 第62-63页 |
| ·本章小结 | 第63-65页 |
| 第六章 总结与展望 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
