| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·论文的背景及研究意义 | 第7-8页 |
| ·国内外研究状况 | 第8-9页 |
| ·论文的研究方法和主要内容 | 第9-11页 |
| 第二章 半导体器件HPM损伤阈值及损伤机理分析 | 第11-21页 |
| ·半导体毁伤阈值 | 第11-12页 |
| ·半导体器件HPM损伤效应的物理机理 | 第12-14页 |
| ·电迁移 | 第12-13页 |
| ·氧化层和介质击穿 | 第13页 |
| ·雪崩击穿 | 第13页 |
| ·二次击穿 | 第13-14页 |
| ·器件热效应分析 | 第14-16页 |
| ·电热模型基本方程及热传导方程 | 第14-15页 |
| ·边界条件 | 第15-16页 |
| ·器件等效热路 | 第16页 |
| ·热效应过程基本理论分析 | 第16-20页 |
| ·单脉冲作用下晶格温度与时间关系 | 第17-18页 |
| ·重复脉冲作用下晶格温度与时间关系 | 第18-20页 |
| ·本章总结 | 第20-21页 |
| 第三章 HEMT器件理论及其建模 | 第21-33页 |
| ·器件仿真软件ISE-TCAD | 第21-23页 |
| ·MDRAW | 第21-22页 |
| ·DESSIS | 第22页 |
| ·INSPECT和TECPLOT | 第22页 |
| ·器件设计流程 | 第22-23页 |
| ·砷化镓材料特性 | 第23-25页 |
| ·HEMT结构及其工作原理 | 第25-28页 |
| ·ISE-TCAD中HEMT的模型参数选取 | 第28-33页 |
| ·肖特基接触 | 第28-29页 |
| ·流体力学模型 | 第29-31页 |
| ·迁移率模型 | 第31-32页 |
| ·载流子产生复合模型 | 第32-33页 |
| ·AlGaAs/GaAs HEMT结构描述及在ISE-TCAD中的建模 | 第33-34页 |
| ·本章总结 | 第34-35页 |
| 第四章 HEMT器件在HPM作用下的瞬态响应 | 第35-51页 |
| ·HEMT损伤机理 | 第35页 |
| ·HEMT器件静态电流电压特性 | 第35-36页 |
| ·GaAs HEMT器件毁伤仿真原理图 | 第36-37页 |
| ·ISE-TCAD仿真结果及分析 | 第37-45页 |
| ·栅极注入损伤效应和机理 | 第37-41页 |
| ·器件端口特性 | 第41-42页 |
| ·烧毁时间与注入电压的关系 | 第42-43页 |
| ·烧毁时间与初始相位的关系 | 第43页 |
| ·ISE-TCAD仿真结果与实验对比 | 第43-45页 |
| ·器件热应力分析 | 第45-49页 |
| ·AlGaAs/GaAs HEMT在ANSYS中的建模及材料参数选取 | 第45-46页 |
| ·热分析 | 第46-48页 |
| ·结构分析 | 第48-49页 |
| ·本章总结 | 第49-51页 |
| 第五章 高功率微波对有源电路的干扰效应研究 | 第51-59页 |
| ·低噪声放大器电路设计 | 第51-55页 |
| ·高功率微波干扰效应研究 | 第55-58页 |
| ·本章总结 | 第58-59页 |
| 第六章 总结与展望 | 第59-61页 |
| 致谢 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-68页 |