| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-17页 |
| ·引言 | 第7-8页 |
| ·Ⅲ族氮化物材料概述 | 第8-11页 |
| ·LED技术的发展历史 | 第11-13页 |
| ·UV-LED研究的发展状况 | 第13-16页 |
| ·本文的工作和安排 | 第16-17页 |
| 第二章 实验设备及制作工艺流程 | 第17-23页 |
| ·分子束外延设备 | 第17-19页 |
| ·器件工艺设备 | 第19-22页 |
| ·器件的制作流程 | 第22-23页 |
| 第三章 紫外发光二极管外延材料设计及模拟 | 第23-28页 |
| ·n-AlGaN层的设计 | 第23-24页 |
| ·p-AlGaN层的设计 | 第24-25页 |
| ·Crosslight APSYS模拟AlGaN外延结构设计 | 第25-27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 第四章 AlGaN材料中的能带结构势能扰动 | 第28-34页 |
| ·势能扰动影响内量子效率 | 第28-29页 |
| ·InGaN阵列组成不均匀引起势能扰动 | 第29-30页 |
| ·在AlGaN阵列中激子的局域展示出势能扰动 | 第30-32页 |
| ·在富Ga条件AlGaN材料生长的组成不均匀 | 第32-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 第五章 器件材料生长及制作 | 第34-41页 |
| ·典型的紫外LED器件结构及测试方法 | 第34-36页 |
| ·样品的制备和实验方法 | 第36-38页 |
| ·实验结果 | 第38-41页 |
| 结论 | 第41-42页 |
| 致谢 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43页 |