| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| ·IGBT 的产生和课题研究意义 | 第9-10页 |
| ·IGBT 的发展进程 | 第10-13页 |
| ·国内 IGBT 发展和现状 | 第13-14页 |
| ·本文的主要工作 | 第14-15页 |
| 第二章 IGBT 的基本结构和原理 | 第15-28页 |
| ·IGBT 的基本结构 | 第15-16页 |
| ·IGBT 的内部参数 | 第16-17页 |
| ·IGBT 的阻断特性 | 第17-22页 |
| ·IGBT 阻断理论 | 第17-19页 |
| ·提高耐压的方法 | 第19-22页 |
| ·IGBT 的导通特性 | 第22-24页 |
| ·IGBT 的导通理论 | 第22-23页 |
| ·降低导通压降的方法 | 第23-24页 |
| ·IGBT 的开关特性 | 第24-26页 |
| ·IGBT 的开启 | 第24-25页 |
| ·IGBT 的关断 | 第25页 |
| ·提高 IGBT 开关速度的方法 | 第25-26页 |
| ·IGBT 的失效 | 第26-27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 抗闩锁 IGBT 的设计 | 第28-39页 |
| ·IGBT 发生闩锁的原理 | 第28-31页 |
| ·静态闩锁 | 第28-30页 |
| ·动态闩锁 | 第30-31页 |
| ·IGBT 抗闩锁能力的设计 | 第31-38页 |
| ·元胞形状对闩锁能力的影响 | 第31-34页 |
| ·深 P+注入 | 第34页 |
| ·浅 P+注入 | 第34-35页 |
| ·N+发射极镇流电阻 | 第35-36页 |
| ·薄栅氧化层设计 | 第36页 |
| ·空穴旁路设计 | 第36-37页 |
| ·Diverter 结构 | 第37-38页 |
| ·沟槽栅结构 | 第38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第四章 一种具有二氧化硅阻挡层的新型抗闩锁 IGBT | 第39-61页 |
| ·具有二氧化硅阻挡层的新型抗闩锁 IGBT 的原理 | 第39-40页 |
| ·具有二氧化硅阻挡层的新型抗闩锁 IGBT 的设计 | 第40-54页 |
| ·元胞参数设计 | 第40-47页 |
| ·二氧化硅阻挡层的设计 | 第47-53页 |
| ·新型抗闩锁 IGBT 的综合设计 | 第53-54页 |
| ·具有二氧化硅阻挡层的新型抗闩锁 IGBT 的工艺设计 | 第54-59页 |
| ·基本的工艺步骤设计 | 第55页 |
| ·关键工艺分析 | 第55-59页 |
| ·终端结构和版图设计 | 第59-60页 |
| ·终端设计 | 第59页 |
| ·版图设计 | 第59-60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 第五章 结论 | 第61-62页 |
| ·论文工作总结 | 第61页 |
| ·工作改进的方向 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-65页 |
| 研究生期间取得的成果 | 第65-66页 |
