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基于600V BCD工艺平台的IGBT驱动芯片设计

摘要第1-6页
ABSTRACT第6-9页
第一章 绪论第9-13页
   ·课题的研究背景和意义第9-10页
   ·国内外发展动态第10-11页
   ·本文主要工作第11-13页
第二章 IGBT 驱动芯片的系统性设计第13-21页
   ·IGBT 器件简介第13-15页
   ·IGBT 的栅极驱动第15-18页
     ·驱动电路的拓扑第15-16页
     ·驱动电路的设计要求第16页
     ·整体电路结构第16-18页
   ·驱动芯片总体设计指标第18页
   ·驱动芯片的应用第18-20页
   ·本章小结第20-21页
第三章 IGBT 驱动芯片的电路设计第21-48页
   ·逻辑控制模块第21-35页
     ·输入接口电路第21-23页
     ·死区产生电路第23-26页
     ·电平位移电路第26-33页
     ·低端延迟匹配电路第33-35页
   ·驱动模块第35-38页
   ·保护模块第38-44页
     ·欠压封锁电路第38-40页
     ·过流保护电路第40-42页
     ·错误逻辑电路第42-44页
   ·整体电路仿真第44-47页
     ·正常工作时的整体电路仿真第44-45页
     ·电源电压欠压时的整体电路仿真第45-46页
     ·电路过流时的整体电路仿真第46-47页
   ·本章小结第47-48页
第四章 芯片的工艺介绍与版图设计第48-57页
   ·BCD 工艺第48-49页
   ·基本器件结构第49-51页
   ·驱动电路的版图设计第51-56页
     ·highside 版图设计第51-53页
     ·ESD 保护第53-54页
     ·整体电路的版图设计第54-56页
   ·本章小结第56-57页
第五章 芯片的测试结果与分析第57-70页
   ·芯片的封装第57-58页
   ·分模块测试第58-63页
     ·逻辑控制模块第59-61页
     ·输出级驱动模块第61页
     ·保护模块第61-63页
     ·测试结果总结第63页
   ·整体电路测试第63-69页
     ·低压性能第64-66页
     ·高压性能第66-67页
     ·高压结终端耐压第67-68页
     ·输出电流能力第68页
     ·最高工作频率第68-69页
     ·测试结果总结第69页
   ·本章小结第69-70页
第六章 结论第70-71页
致谢第71-72页
参考文献第72-74页
攻读硕士期间取得的研究成果第74-75页

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