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双极晶体管微波损伤效应与机理研究

作者简介第1-4页
摘要第4-6页
ABSTRACT第6-9页
目录第9-12页
第一章 绪论第12-28页
   ·研究背景和意义第12-14页
   ·HPM 效应研究进展第14-26页
     ·HPM 效应辐照法研究进展第15-18页
     ·HPM 效应注入法研究进展第18-21页
     ·HPM 敏感参数统计规律第21-25页
     ·HPM 防护与加固技术研究进展第25-26页
   ·论文研究内容和创新点第26页
   ·论文研究结构第26-28页
第二章 HPM 的损伤机理及防护技术研究第28-56页
   ·HPM 损伤机理第28-37页
     ·HPM 概述第28-35页
     ·HPM 损伤机理第35-37页
   ·半导体器件 HPM 损伤机理第37-48页
     ·半导体器件 HPM 损伤机理概述第37-42页
     ·结型半导体第42-44页
     ·MOS 结构半导体第44-45页
     ·双极晶体管第45-48页
   ·HPM 损伤的防护加固技术第48-55页
     ·空域防护控制第49-51页
     ·频率防护控制第51-52页
     ·时域防护控制第52-53页
     ·能域防护控制第53-54页
     ·传导回路的防护控制第54-55页
   ·本章小结第55-56页
第三章 BJT 微波损伤效应与机理第56-74页
   ·ISETCAD 简介第56-58页
   ·BJT 数值模型第58-64页
     ·器件结构第58-59页
     ·数值模型第59-64页
   ·信号模型第64-67页
     ·信号模型相关分析方法第64-66页
     ·理想信号模型第66-67页
   ·仿真结果与分析第67-73页
     ·集电极注入损伤效应和机理第67-70页
     ·基极注入损伤效应和机理第70-71页
     ·信号相位对烧毁时间的影响第71-72页
     ·仿真结果与实验对比第72-73页
   ·本章小结第73-74页
第四章 BJT 微波损伤脉宽效应与机理研究第74-88页
   ·HPM 脉宽效应第74-80页
     ·脉宽效应实验方法第74-75页
     ·脉宽效应相关模型第75-77页
     ·单脉冲脉宽效应第77-80页
   ·仿真结果与分析第80-86页
     ·BJT 微波脉宽效应第80-81页
     ·HPM 和 EMP 损伤数据的对比第81-84页
     ·损伤能量和脉宽之间的关系第84-86页
   ·本章总结第86-88页
第五章 微波参数对 BJT 损伤的影响第88-114页
   ·频率对 BJT 损伤的影响第88-96页
     ·频率敏感度研究方法第88-90页
     ·信号频率对 BJT 损伤时间的影响第90-95页
     ·损伤功率随频率的变化第95-96页
   ·信号重频和占空比对 BJT 损伤的影响第96-104页
     ·重复脉冲失效模型第96-98页
     ·重复频率对 BJT 损伤的影响第98-102页
     ·占空比对 BJT 损伤的影响第102-104页
   ·信号样式对 BJT 损伤的影响第104-111页
     ·信号模型第104-105页
     ·仿真结果和分析第105-111页
   ·本章总结第111-114页
第六章 BJT 抗 HPM 损伤加固技术研究第114-124页
   ·半导体器件加固的一般方法第114-116页
   ·BJT 抗 HPM 损伤方法初步研究第116-123页
     ·静态工作点对器件损伤的影响第116-117页
     ·基极串联二极管对器件损伤的影响第117-119页
     ·发射极外接电阻对器件损伤的影响第119-121页
     ·基极外接电阻对器件损伤的影响第121-123页
   ·本章总结第123-124页
第七章 总结与展望第124-128页
   ·本文总结第124-126页
   ·工作展望第126-128页
致谢第128-130页
参考文献第130-144页
攻读博士学位期间的研究成果第144-147页
 学术论文第144-146页
 参加研究的科研项目第146-147页

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