双极晶体管微波损伤效应与机理研究
作者简介 | 第1-4页 |
摘要 | 第4-6页 |
ABSTRACT | 第6-9页 |
目录 | 第9-12页 |
第一章 绪论 | 第12-28页 |
·研究背景和意义 | 第12-14页 |
·HPM 效应研究进展 | 第14-26页 |
·HPM 效应辐照法研究进展 | 第15-18页 |
·HPM 效应注入法研究进展 | 第18-21页 |
·HPM 敏感参数统计规律 | 第21-25页 |
·HPM 防护与加固技术研究进展 | 第25-26页 |
·论文研究内容和创新点 | 第26页 |
·论文研究结构 | 第26-28页 |
第二章 HPM 的损伤机理及防护技术研究 | 第28-56页 |
·HPM 损伤机理 | 第28-37页 |
·HPM 概述 | 第28-35页 |
·HPM 损伤机理 | 第35-37页 |
·半导体器件 HPM 损伤机理 | 第37-48页 |
·半导体器件 HPM 损伤机理概述 | 第37-42页 |
·结型半导体 | 第42-44页 |
·MOS 结构半导体 | 第44-45页 |
·双极晶体管 | 第45-48页 |
·HPM 损伤的防护加固技术 | 第48-55页 |
·空域防护控制 | 第49-51页 |
·频率防护控制 | 第51-52页 |
·时域防护控制 | 第52-53页 |
·能域防护控制 | 第53-54页 |
·传导回路的防护控制 | 第54-55页 |
·本章小结 | 第55-56页 |
第三章 BJT 微波损伤效应与机理 | 第56-74页 |
·ISETCAD 简介 | 第56-58页 |
·BJT 数值模型 | 第58-64页 |
·器件结构 | 第58-59页 |
·数值模型 | 第59-64页 |
·信号模型 | 第64-67页 |
·信号模型相关分析方法 | 第64-66页 |
·理想信号模型 | 第66-67页 |
·仿真结果与分析 | 第67-73页 |
·集电极注入损伤效应和机理 | 第67-70页 |
·基极注入损伤效应和机理 | 第70-71页 |
·信号相位对烧毁时间的影响 | 第71-72页 |
·仿真结果与实验对比 | 第72-73页 |
·本章小结 | 第73-74页 |
第四章 BJT 微波损伤脉宽效应与机理研究 | 第74-88页 |
·HPM 脉宽效应 | 第74-80页 |
·脉宽效应实验方法 | 第74-75页 |
·脉宽效应相关模型 | 第75-77页 |
·单脉冲脉宽效应 | 第77-80页 |
·仿真结果与分析 | 第80-86页 |
·BJT 微波脉宽效应 | 第80-81页 |
·HPM 和 EMP 损伤数据的对比 | 第81-84页 |
·损伤能量和脉宽之间的关系 | 第84-86页 |
·本章总结 | 第86-88页 |
第五章 微波参数对 BJT 损伤的影响 | 第88-114页 |
·频率对 BJT 损伤的影响 | 第88-96页 |
·频率敏感度研究方法 | 第88-90页 |
·信号频率对 BJT 损伤时间的影响 | 第90-95页 |
·损伤功率随频率的变化 | 第95-96页 |
·信号重频和占空比对 BJT 损伤的影响 | 第96-104页 |
·重复脉冲失效模型 | 第96-98页 |
·重复频率对 BJT 损伤的影响 | 第98-102页 |
·占空比对 BJT 损伤的影响 | 第102-104页 |
·信号样式对 BJT 损伤的影响 | 第104-111页 |
·信号模型 | 第104-105页 |
·仿真结果和分析 | 第105-111页 |
·本章总结 | 第111-114页 |
第六章 BJT 抗 HPM 损伤加固技术研究 | 第114-124页 |
·半导体器件加固的一般方法 | 第114-116页 |
·BJT 抗 HPM 损伤方法初步研究 | 第116-123页 |
·静态工作点对器件损伤的影响 | 第116-117页 |
·基极串联二极管对器件损伤的影响 | 第117-119页 |
·发射极外接电阻对器件损伤的影响 | 第119-121页 |
·基极外接电阻对器件损伤的影响 | 第121-123页 |
·本章总结 | 第123-124页 |
第七章 总结与展望 | 第124-128页 |
·本文总结 | 第124-126页 |
·工作展望 | 第126-128页 |
致谢 | 第128-130页 |
参考文献 | 第130-144页 |
攻读博士学位期间的研究成果 | 第144-147页 |
学术论文 | 第144-146页 |
参加研究的科研项目 | 第146-147页 |