| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-14页 |
| ·课题背景 | 第8-9页 |
| ·IGBT 的发展历史 | 第9-11页 |
| ·IGBT 国内外发展现状 | 第11-12页 |
| ·本课题的研究内容及意义 | 第12-13页 |
| ·本章小结 | 第13-14页 |
| 第2章 IGBT 发展概述 | 第14-24页 |
| ·IGBT 的基本结构及工作原理 | 第14-15页 |
| ·IGBT 自身存在的问题及改善方案 | 第15-17页 |
| ·通态压降与关断损耗的矛盾关系及内在机制 | 第15页 |
| ·折中曲线 | 第15-16页 |
| ·IGBT 内部载流子分布 | 第16-17页 |
| ·现有 IGBT 性能改进方案 | 第17-22页 |
| ·发射极注入载流子增强技术 | 第17-20页 |
| ·电场终止与透明集电极的结合技术 | 第20-21页 |
| ·超结 FS IGBT | 第21-22页 |
| ·本章小结 | 第22-24页 |
| 第3章 基于内透明集电极技术的 600V 超结 IGBT | 第24-28页 |
| ·内透明集电极超结(ITC SJ)IGBT 的结构 | 第24-25页 |
| ·ITC SJ IGBT 的工作原理 | 第25-26页 |
| ·ITC SJ IGBT 的特点 | 第26-27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 第4章 仿真工具介绍及模型选取 | 第28-34页 |
| ·基本方程简介 | 第28-29页 |
| ·物理模型 | 第29-31页 |
| ·载流子产生—复合模型 | 第29-30页 |
| ·迁移率模型 | 第30-31页 |
| ·边界条件 | 第31页 |
| ·数值求解方法 | 第31-32页 |
| ·离散化 | 第31-32页 |
| ·求解方法 | 第32页 |
| ·本章小结 | 第32-34页 |
| 第5章 ITC SJ IGBT 仿真结果与分析 | 第34-68页 |
| ·器件结构及参数 | 第34-41页 |
| ·NPT IGBT | 第34-36页 |
| ·FS IGBT | 第36-38页 |
| ·内透明集电极 IGBT | 第38-40页 |
| ·ITC SJ IGBT | 第40-41页 |
| ·ITC SJ IGBT 静态特性仿真 | 第41-50页 |
| ·击穿特性 | 第41-44页 |
| ·影响 ITC SJ IGBT 击穿特性的主要因素 | 第44-47页 |
| ·正向导通特性 | 第47-50页 |
| ·动态特性仿真 | 第50-51页 |
| ·ITC SJ IGBT 超结漂移区参数优化 | 第51-60页 |
| ·柱区深度对 ITC SJ IGBT 性能的影响 | 第52-55页 |
| ·柱区浓度对 ITC SJ IGBT 性能的影响 | 第55-60页 |
| ·ITC SJ IGBT 缓冲层参数优化 | 第60-65页 |
| ·缓冲层掺杂浓度对 ITC SJ IGBT 电性能的影响 | 第60-63页 |
| ·缓冲层厚度对 ITC SJ IGBT 性能的影响 | 第63-65页 |
| ·ITC SJ IGBT 最终优化 | 第65-67页 |
| ·本章小结 | 第67-68页 |
| 结论 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-74页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第74-76页 |
| 致谢 | 第76页 |
