| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-17页 |
| ·课题研究背景 | 第11-12页 |
| ·国内外研究现状 | 第12-14页 |
| ·课题来源、研究内容及意义 | 第14-17页 |
| 第2章 SiGe HBT 的基本原理 | 第17-23页 |
| ·引言 | 第17页 |
| ·SiGe HBT 的能带结构 | 第17-18页 |
| ·基区 Ge 组分缓变的 SiGe HBT 的电流增益 | 第18-21页 |
| ·基区 Ge 组分缓变的 SiGe HBT 的特征频率 | 第21-22页 |
| ·本章小结 | 第22-23页 |
| 第3章 能带工程对多指 SiGe HBT 热性能改善研究 | 第23-39页 |
| ·引言 | 第23页 |
| ·多指 SiGe HBT 的结构及参数模型 | 第23-28页 |
| ·常见的基区 Ge 组分分布形式对 SiGe HBT 温度分布的影响 | 第28-30页 |
| ·增强 SiGe HBT 热学性能的新型 Ge 组分分布优化设计 | 第30-37页 |
| ·不同 Ge 组分梯度对温度分布、增益和特征频率温度特性的影响 | 第30-34页 |
| ·改善 SiGe HBT 热学性能的新型基区 Ge 组分分布优化设计思想 | 第34-35页 |
| ·新型基区 Ge 组分分段分布对 SiGe HBT 热学性能的改善 | 第35-37页 |
| ·本章小结 | 第37-39页 |
| 第4章 增强多指 SiGe HBT 热稳定性的变指间距技术 | 第39-55页 |
| ·引言 | 第39页 |
| ·多指 SiGe HBT 表面温度分布的解析计算 | 第39-47页 |
| ·三维热分析模型的建立 | 第39-40页 |
| ·热传导方程的求解 | 第40-44页 |
| ·多指 SiGe HBT 表面温度分布模拟举例 | 第44-47页 |
| ·变指间距技术研究 | 第47-53页 |
| ·变指间距设计的思想 | 第47-48页 |
| ·变指间距设计对多指 SiGe HBT 温度分布的改善 | 第48-50页 |
| ·多指 SiGe HBTs 表面温度分布红外测试 | 第50-53页 |
| ·本章小结 | 第53-55页 |
| 第5章 增强多指 SiGe HBT 热性能的新结构 | 第55-65页 |
| ·引言 | 第55页 |
| ·新型结构 SiGe HBT 模型建立 | 第55-57页 |
| ·新型结构对多指 SiGe HBT 温度分布的改善 | 第57-60页 |
| ·新型结构对多指 SiGe HBT 电学特性的改善 | 第60-62页 |
| ·本章小结 | 第62-65页 |
| 总结与结论 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第71-73页 |
| 致谢 | 第73页 |
