| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-21页 |
| ·IGBT 的诞生以及发展 | 第9-15页 |
| ·IGBT 的工作特性 | 第15-18页 |
| ·IGBT 静态特性 | 第15-17页 |
| ·IGBT 动态特性 | 第17-18页 |
| ·IGBT 的研究现状 | 第18-20页 |
| ·本文的研究意义和主要工作 | 第20-21页 |
| 第二章 结终端理论简介 | 第21-34页 |
| ·影响 IGBT 击穿电压的因素 | 第21-25页 |
| ·击穿电压受平面工艺 PN 结扩散终端的影响 | 第21-24页 |
| ·击穿电压受界面电荷的影响 | 第24页 |
| ·击穿电压受杂质在 Si、SiO_2中具有不同分凝系数的影响 | 第24-25页 |
| ·结终端技术理论简介 | 第25-33页 |
| ·场限环技术 | 第25-27页 |
| ·场板技术 | 第27-30页 |
| ·场板加场限环结构 | 第30-31页 |
| ·结终端扩展 | 第31-32页 |
| ·磨角终端 | 第32-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 4500V FS IGBT 结终端结构和工艺设计 | 第34-54页 |
| ·4500V FS IGBT 结终端结构的设计 | 第34-35页 |
| ·4500V FS IGBT 终端工艺设计 | 第35-44页 |
| ·工艺流程的选定 | 第35-37页 |
| ·仿真软件介绍 | 第37-40页 |
| ·器件的工艺模拟 | 第40-44页 |
| ·4500V FS IGBT 结终端仿真及优化 | 第44-50页 |
| ·初步终端结构设计参数 | 第44-46页 |
| ·终端结构优化设计 | 第46-48页 |
| ·环间距的优化仿真 | 第48-50页 |
| ·4500V FS IGBT 结终端的仿真拉偏 | 第50-53页 |
| ·终端金属场板拉偏仿真 | 第50-51页 |
| ·终端多晶硅场板拉偏仿真 | 第51页 |
| ·终端温度拉偏仿真 | 第51-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第四章 4500V FS IGBT 终端版图设计和流片测试 | 第54-64页 |
| ·4500V FS IGBT 终端版图设计 | 第54-59页 |
| ·版图设计规则 | 第54-56页 |
| ·终端版图结构 | 第56-59页 |
| ·流片测试与结果分析 | 第59-63页 |
| ·流片结果测试 | 第59-62页 |
| ·流片结果分析 | 第62-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 第五章 结论 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-68页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第68-69页 |
