高压IGBT关断状态失效的机理研究

摘要	第1-6页
ABSTRACT	第6-10页
第一章 绪论	第10-16页
·课题研究背景	第10-11页
·IGBT 国内外研究现状	第11-15页
·课题研究意义	第15页
·本文主要工作	第15-16页
第二章 IGBT 基本理论与参数优化	第16-37页
·IGBT 工作原理	第16-18页
·IGBT 阻断特性	第18-23页
·IGBT 阻断特性	第18-19页
·一种变形槽栅介质的 CSTBT 结构	第19-23页
·IGBT 正向导通特性	第23-27页
·IGBT 正向导通特性	第23-24页
·一种载流子存储的沟槽双极型晶体管	第24-27页
·IGBT 的动态特性	第27-31页
·IGBT 关断特性	第28-30页
·IGBT 的开关时间	第30-31页
·IGBT 安全工作区	第31-32页
·IGBT 的雪崩击穿和闩锁效应	第32-36页
·雪崩击穿	第32-34页
·静态雪崩击穿	第33-34页
·动态雪崩击穿	第34页
·闩锁效应	第34-36页
·静态闩锁效应	第35-36页
·动态闩锁效应	第36页
·本章小结	第36-37页
第三章 高压 IGBT 关断失效机理研究	第37-70页
·IGBT 关断状态失效现象的提出	第37-39页
·元胞区关断失效分析与优化设计	第39-44页
·终端区关断失效分析与优化设计	第44-50页
·过渡区关断失效分析与优化设计	第50-69页
·本章小结	第69-70页
第四章 结论	第70-71页
致谢	第71-72页
参考文献	第72-75页
攻硕期间取得的研究成果	第75-76页